恆憶 (Numonyx) 推出低價、低功耗 DDR 介面非揮發性 RAM 產品

本文作者:admin       點擊: 2008-07-29 00:00
前言:
記憶體大廠恆憶 (Numonyx) 宣佈推出 Velocity LPTM NV-RAM 產品系列,此系列是業界最快速的低功耗雙倍資料傳輸速率 (LPDDR) 非揮發性記憶體,不但可以提供行動電話和消費性電子產品製造商更高的記憶體效能,而且比目前市面解決方案價格更低。相較於傳統NOR Flash記憶體,這些裝置在提供高DRAM內容平台低成本解決方案的同時,還可達到兩到三倍速讀取頻寬的效能提升。恆憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出也為該公司未來相位變化記憶體 (PCM) 產品提供了無縫的絕佳架構途徑。

無線電話中的數位影像、視訊、遊戲及其他應用程式持續需要大量的記憶體,為滿足這樣的需求,大多數的行動電話製造商採用結合如NOR、NAND等非揮發性記憶體以及昂貴的RAM技術。其中由於各種記憶體類型需要不同的硬體和軟體介面,經常迫使設計人員在記憶體系統效能與支援更多介面之間得做出妥協,也因而提高系統成本。

恆憶Velocity LP NV-RAM將系統中不同的執行記憶體的特性結合在一個廣為接受LPDDR 介面上,有助於簡化系統架構、提升速度並降低成本。由於此一非揮發性記憶體也具有執行功能,因此設計人員可以 RAM 速度讀取數位內容,並降低系統的 LP RAM 需求以減少記憶體系統成本,此介面同時可協助系統架構人員使用相同架構來擴充記憶體系統,以支援從低階到高階的各種電話。

恆憶 無線通訊產品事業群副總裁暨總經理 Marco Dallabora 表示,延續恆憶在無線非揮發記憶體市場的領先地位,恆憶Velocity LP NV-RAM 採用經驗證的 65奈米非揮發記憶體技術,率先推出 LPDDR-NVM 介面的領導功能。恆憶的目標是協助 OEM 推出符合成本效益的高效能電話,並開始針對無線市場推出 PCM 型裝置¬。

恆憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發佈的 JEDEC 低功耗雙倍資料傳輸速率 (LPDDR) NVM 標準相容,恆憶將持續以更新的產品支援產業未來新一代介面標準,此次開發的產品是推出更快速非揮發性記憶體的第一步,並藉此降低行動平台加裝額外 RAM 的需求。

為開發Velocity LP NV-RAM 系列產品,恆憶積極與產業鏈及客戶合作,預期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年引起市場的廣大迴響。ARM 處理器部門營運暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示,LPDDR-NVM 介面提供顯著優勢,使開發人員得以ARM*架構執行行動應用。ARM與恆憶密切合作,使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動態記憶體控制器能夠搭配恆憶Velocity LP NV-RAM 解決方案,主要合作夥伴目前也已經順利導入此項產品。

以軟體與封裝提高價值
除了提供創新的 NVM 矽產品外,恆憶也提供創新的軟體解決方案。所推出的進階 XIP 檔案系統 (AXFS,Advanced XIP File System)讓軟體設計人員和架構人員能夠運用單一檔案系統,支援 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術,以及日後的 PCM 型產品。AXFS 軟體可壓縮未使用的代碼頁,協助設計人員得以在特定密度下取得 50% 以上的儲存量,並最佳化設計過程中的系統層級效能與成本,同時減少 RAM 需求以降低系統功耗。

透過創新的封裝技術,恆憶運用單一的封裝層疊(package-on-package)解決方案提升共用 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優勢,藉此,設計人員即可運用處理器推出高性能而低成本的記憶體解決方案。在同一匯流排安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM,恆憶得使記憶體能夠相互堆疊,節省電路板的實體空間或「記憶體體積」。

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恆憶™ (Numonyx) 公司簡介
恆憶™設計與生產製造完整的整合式NV-RAM、NOR、NAND 和相變( Phase Change )非揮發性記憶體技術與產品,以滿足行動電話和內嵌式記憶體市場愈趨複雜的需求。恆憶™結合了意法半導體(STMicroelectronics)和英特爾(Intel Corporation) 快閃記憶體部門的技術與製造專業,致力於提供高密度、低功耗記憶體技術與封裝解決方案給全球客戶。關於恆憶™的詳細資訊,請查詢公司網站 www.numonyx.com。


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