恆憶 (Numonyx) 與海力士 (Hynix Semiconductor Inc.)宣佈簽署為期五年的協議，將針對成長迅速的 NAND 快閃記憶體市場，共同合作開發計劃。雙方將擴充 NAND 產品線，並促成未來產品和技術的創新，以因應五年內NAND所將面臨的技術挑戰。
依新簽署的合約，恆憶與 海力士將拓展合作開發範疇，以推出領先業界的 NAND 記憶體技術和產品，並且將雙方的資源整合，以加速開發未來的 NAND 技術和解決方案。此外，雙方也將共同開發用於行動電話多晶片封裝的行動 DRAM。
海力士董事長暨執行長 Jong-Kap Kim 表示，為了在快速演進的半導體產業致勝，必須運用雙方最佳資源，共同面對技術問題，而非只單獨減低風險就能達成。未來的共同技術開發，將成為雙方合作的重要成功因素，也期盼能夠透過產品、軟體和控制器等方面的系統化共同開發，致力推出新產品。恆憶與海力士將共同開發出採用先進技術的完整系列產品，使雙方在 NAND 市場得以勝出。恆憶與海力士的合作將成為全球的 NAND 設計社群裡屬一屬二的全能團隊，期盼在今後能持續開發全新的 NAND 記憶體解決方案，持續既有優勢。
恆憶總裁暨執行長 Brian Harrison 表示，未來 五年在 NAND 領域的成功和發展，需要獨特的能力，恆憶期許與海力士攜手實現這樣的願景。結合恆憶的專業人力資源、工程設計，與海力士對於成本效益的高度專注，相信必能獲得尖端的技術、符合成本效益且可擴充的製造能力、領先業界的記憶體系統專業，以及使系統層級 NAND 解決方案迅速上市的經驗。透過與海力士互補的專業技術，勢必能強化恆憶在無線通訊 NAND領域的優勢。
由於技術層面不斷改變，製造 NAND 記憶體的過程日益複雜，甚至轉變為愈來愈精密的微影技術量產節點，一般預期電荷擷取裝置 (Charge-Trap device) NAND 將取代目前主流的浮動閘 (Floating Gate) NAND 技術，而恆憶在 NOR 快閃記憶體技術的經驗，理當成為此一演進趨勢的主要推手。另外，在未來五年，供應商需要更深入瞭解裝置的物理性能和整體系統層級解決方案，才能克服所面臨的挑戰。
有效運用恆憶的軟體專業技術，不但有助廠商達成上述要求，並對市場滲透產生正面影響，得以提高 microSD、eMMC 和 SSD 等整合式 NAND 解決方案的市佔率。恆憶與海力士的合作將帶來重大的整合綜效，而恆憶在解決非揮發性記憶體挑戰方面已累積40年的歷史，及在開發韌體、微控制器和其他系統解決方面的豐富的經驗。這些因素都將在NAND從原始晶片向系統的轉變中產生關鍵作用。
除了在 NAND 方面的共同合作外，雙方更擬於中國無錫合作投資生產 300 mm 低功耗行動 DRAM 的生產計劃。雙方將多晶片封裝非揮發性記憶體堆疊的行動 DRAM，應用於行動裝置解決方案中。這項行動 DRAM 的結盟，將有助兩家公司推出更具成本效益且低功耗的多晶片記憶體子系統，以供具有小型設備需求的客戶使用。海力士在 4 月推出全球最快速的 1 Gb LPDDR2 產品後，在產品密度、技術領先地位、效能，以及適合單一晶片解決方案的 SDR/DDR 介面相容性等方面，已然成為行動 DRAM 產品的領導廠商。
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海力士 (Hynix) 公司簡介
位於韓國仁川的海力士 (HSI) 為全球半導體領導供應商，針對眾多長期合作的國際客戶，提供動態隨機存取記憶體 (DRAM) 及快閃記憶體晶片。該公司股票於韓國證券交易所上市，其全球存託憑證亦於盧森堡證券交易所掛牌。關於海力士的詳細資訊，請查詢公司網站www.hynix.com 。
恆憶™ (Numonyx) 公司簡介
恆憶™設計與生產製造完整的整合式NV-RAM、NOR、NAND 和相變( Phase Change )非揮發性記憶體技術與產品，以滿足行動電話和內嵌式記憶體市場愈趨複雜的需求。恆憶™結合了意法半導體(STMicroelectronics)和英特爾(Intel Corporation) 快閃記憶體部門的技術與製造專業，致力於提供高密度、低功耗記憶體技術與封裝解決方案給全球客戶。關於恆憶™的詳細資訊，請查詢公司網站 www.numonyx.com。
依新簽署的合約，恆憶與 海力士將拓展合作開發範疇，以推出領先業界的 NAND 記憶體技術和產品，並且將雙方的資源整合，以加速開發未來的 NAND 技術和解決方案。此外，雙方也將共同開發用於行動電話多晶片封裝的行動 DRAM。
海力士董事長暨執行長 Jong-Kap Kim 表示，為了在快速演進的半導體產業致勝，必須運用雙方最佳資源，共同面對技術問題，而非只單獨減低風險就能達成。未來的共同技術開發，將成為雙方合作的重要成功因素，也期盼能夠透過產品、軟體和控制器等方面的系統化共同開發，致力推出新產品。恆憶與海力士將共同開發出採用先進技術的完整系列產品，使雙方在 NAND 市場得以勝出。恆憶與海力士的合作將成為全球的 NAND 設計社群裡屬一屬二的全能團隊，期盼在今後能持續開發全新的 NAND 記憶體解決方案，持續既有優勢。
恆憶總裁暨執行長 Brian Harrison 表示，未來 五年在 NAND 領域的成功和發展，需要獨特的能力，恆憶期許與海力士攜手實現這樣的願景。結合恆憶的專業人力資源、工程設計，與海力士對於成本效益的高度專注，相信必能獲得尖端的技術、符合成本效益且可擴充的製造能力、領先業界的記憶體系統專業，以及使系統層級 NAND 解決方案迅速上市的經驗。透過與海力士互補的專業技術，勢必能強化恆憶在無線通訊 NAND領域的優勢。
由於技術層面不斷改變，製造 NAND 記憶體的過程日益複雜，甚至轉變為愈來愈精密的微影技術量產節點，一般預期電荷擷取裝置 (Charge-Trap device) NAND 將取代目前主流的浮動閘 (Floating Gate) NAND 技術，而恆憶在 NOR 快閃記憶體技術的經驗，理當成為此一演進趨勢的主要推手。另外，在未來五年，供應商需要更深入瞭解裝置的物理性能和整體系統層級解決方案，才能克服所面臨的挑戰。
有效運用恆憶的軟體專業技術，不但有助廠商達成上述要求，並對市場滲透產生正面影響，得以提高 microSD、eMMC 和 SSD 等整合式 NAND 解決方案的市佔率。恆憶與海力士的合作將帶來重大的整合綜效，而恆憶在解決非揮發性記憶體挑戰方面已累積40年的歷史，及在開發韌體、微控制器和其他系統解決方面的豐富的經驗。這些因素都將在NAND從原始晶片向系統的轉變中產生關鍵作用。
除了在 NAND 方面的共同合作外，雙方更擬於中國無錫合作投資生產 300 mm 低功耗行動 DRAM 的生產計劃。雙方將多晶片封裝非揮發性記憶體堆疊的行動 DRAM，應用於行動裝置解決方案中。這項行動 DRAM 的結盟，將有助兩家公司推出更具成本效益且低功耗的多晶片記憶體子系統，以供具有小型設備需求的客戶使用。海力士在 4 月推出全球最快速的 1 Gb LPDDR2 產品後，在產品密度、技術領先地位、效能，以及適合單一晶片解決方案的 SDR/DDR 介面相容性等方面，已然成為行動 DRAM 產品的領導廠商。
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海力士 (Hynix) 公司簡介
位於韓國仁川的海力士 (HSI) 為全球半導體領導供應商，針對眾多長期合作的國際客戶，提供動態隨機存取記憶體 (DRAM) 及快閃記憶體晶片。該公司股票於韓國證券交易所上市，其全球存託憑證亦於盧森堡證券交易所掛牌。關於海力士的詳細資訊，請查詢公司網站www.hynix.com 。
恆憶™ (Numonyx) 公司簡介
恆憶™設計與生產製造完整的整合式NV-RAM、NOR、NAND 和相變( Phase Change )非揮發性記憶體技術與產品，以滿足行動電話和內嵌式記憶體市場愈趨複雜的需求。恆憶™結合了意法半導體(STMicroelectronics)和英特爾(Intel Corporation) 快閃記憶體部門的技術與製造專業，致力於提供高密度、低功耗記憶體技術與封裝解決方案給全球客戶。關於恆憶™的詳細資訊，請查詢公司網站 www.numonyx.com。
