記憶體領導供應商奇夢達公司宣布開始量產使用 Buried Wordline技術的DRAM晶片。以65奈米Buried Wordline技術製造生產的1Gbit DDR2，已於十月份首次銷售，銷售額合併於奇夢達十月份的營收。此外，奇夢達完成了新一代46奈米Buried Wordline技術，並以此技術為基礎，製造出全球最小的2G DDR3晶片。奇夢達創新的Buried Wordline DRAM技術具備高效能、低功耗和小尺寸晶片的特點，進一步強化了奇夢達在基礎設施及繪圖應用的DRAM 產品線。
奇夢達總裁暨執行長羅建華表示：「65奈米Buried Wordline技術的量產，是我們新技術藍圖上一個重大的里程碑。在我們德勒斯登領先的實驗室中，我們已將65奈米Buried Wordline技術製作的初製晶圓(wafer starts)增加至每個月數百片，並計畫在接下來幾個月內，將剩餘產能都轉換至65奈米Buried Wordline技術。 65奈米製程的產能很高，我們也從已收到樣品的客戶獲得相當正面的意見回饋，尤其是對於Buried wordline技術的低功耗特色。此外，我們已提前完成下一代46 奈米Buried Wordline技術的產出，並且會依照計畫於2009年年中量產。46奈米Buried Wordline技術比65 奈米技術多兩倍以上的位元數，導入46奈米Buried Wordline技術將幫助我們更進一步取得製造技術領先的目標。」
奇夢達已於2008年2月提出了新的技術藍圖和第一個以創新的Buried Wordline技術結構生產的功能樣品。Buried Wordline技術結合了奇夢達溝槽技術的省電優點以及廣泛應用於DRAM產業的標準堆疊電容器技術。奇夢達的Buried Wordline技術概念是以其製造矽晶圓的蝕刻和充填結構經驗，進而發展出達成完全垂直單元(vertical cells) 的DRAM cell技術領域突破。
此外，Buried Wordline技術將cell尺寸減少至4F²。第一代65奈米Buried Wordline技術已經降低cell尺寸至6F²，而目前奇夢達量產的75奈米技術則為8F²。65奈米技術結合了較小的尺寸，使每晶圓的位元數比75奈米溝槽式技術增加了40%以上。而結合了6 F² cell尺寸的46奈米技術，使每晶圓位元數比65奈米技術多了兩倍以上，也較75奈米節點改進了200%。
部分的Buried Wordline技術發展是由歐洲共同體下EFRE的技術發展基金和德國薩克森州的資金補助。
奇夢達總裁暨執行長羅建華表示：「65奈米Buried Wordline技術的量產，是我們新技術藍圖上一個重大的里程碑。在我們德勒斯登領先的實驗室中，我們已將65奈米Buried Wordline技術製作的初製晶圓(wafer starts)增加至每個月數百片，並計畫在接下來幾個月內，將剩餘產能都轉換至65奈米Buried Wordline技術。 65奈米製程的產能很高，我們也從已收到樣品的客戶獲得相當正面的意見回饋，尤其是對於Buried wordline技術的低功耗特色。此外，我們已提前完成下一代46 奈米Buried Wordline技術的產出，並且會依照計畫於2009年年中量產。46奈米Buried Wordline技術比65 奈米技術多兩倍以上的位元數，導入46奈米Buried Wordline技術將幫助我們更進一步取得製造技術領先的目標。」
奇夢達已於2008年2月提出了新的技術藍圖和第一個以創新的Buried Wordline技術結構生產的功能樣品。Buried Wordline技術結合了奇夢達溝槽技術的省電優點以及廣泛應用於DRAM產業的標準堆疊電容器技術。奇夢達的Buried Wordline技術概念是以其製造矽晶圓的蝕刻和充填結構經驗，進而發展出達成完全垂直單元(vertical cells) 的DRAM cell技術領域突破。
此外，Buried Wordline技術將cell尺寸減少至4F²。第一代65奈米Buried Wordline技術已經降低cell尺寸至6F²，而目前奇夢達量產的75奈米技術則為8F²。65奈米技術結合了較小的尺寸，使每晶圓的位元數比75奈米溝槽式技術增加了40%以上。而結合了6 F² cell尺寸的46奈米技術，使每晶圓位元數比65奈米技術多了兩倍以上，也較75奈米節點改進了200%。
部分的Buried Wordline技術發展是由歐洲共同體下EFRE的技術發展基金和德國薩克森州的資金補助。
