Aviza Technology, Inc. 為全球半導體業及其他相關市場並提供先進半導體設備及製程技術的專業供應商，今日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。StratIon fxP將用於研發次世代磁控穿隧接合面（MTJ）的裝置，以應用在包括磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）、硬碟驅動讀寫頭或RF元件。該系統也將用於先進CMOS製程的金屬閘極沉積中。除了將該系統出貨，CEA-LETI外與Aviza簽署了一項三年的聯合發展計劃，內容包括未來MRAM和自旋電子裝置將會用到的MTJ沉積製程研發。
StratIon fxP系統使用離子束製程來沉積金屬和介電薄膜，為全球第一臺12吋晶圓製造用的離子束沉積系統。該系統是為高產量生產矽晶廠所設計的，已生產的驗證硬體和軟體平臺，可依下列三種標準腔室型態組裝：預清洗、氧化和沉積。其他Aviza的沉積腔室，如原子層沉積（ALD）和磁控PVD能視彈性需要良好無縫地連接整合到此系統中。相較於現有的MTJ沉積系統，StratIon fxP擁有成本低、產出高，同時在工廠的占地面積也較小。
Leti首席執行長Laurent Malier博士說：「Aviza的StratIon fxP系統是Leti自旋電子研發製程整合的元件之一。」「在自旋電子技術方面，透過像Aviza這類的設備供應商合作，相信我們將為未來的自旋電子裝置提供具成本效益又值得量產的解決方案，因為他們達到高產量生產的轉變。」
Aviza的離子束沉積系統具有傳統磁控濺射法所沒有的重要優勢。使用Aviza專利的M0RI電漿源能在超低壓力下沉積薄膜，比現有MTJ濺射沉積設備所生產的薄膜要平滑兩倍。在MTJ疊層中，最薄的薄膜厚度小於10埃，而平滑度是一個關鍵參數。StratIon fxP能在12吋晶圓上生產方均根粗糙度小於2埃、厚度非均勻性小於0.5%的薄膜。
Aviza Technology總裁兼首席執行官Jerry Cutini：「我們很榮幸能與Leti這傑出的研究中心成為合作夥伴。」「我們相信兩家公司在這次技術專業方面的結合與合作下，將會加速MRAM和自旋電子技術的普遍應用。Aviza和Leti將支持IC製造商於MRAM和自旋電子產品領域取得優勢，因這些廠商正在尋求由研發到量產的轉變。」
寬頻應用的自旋電子技術
裝置尺寸的縮小對快閃記憶體廠商來說是個重大的挑戰，像是65奈米以下製程就有漏電問題需解決。快閃記憶體可能無法達到32奈米以下，所以記憶體廠商一直在尋找替代的架構。
MRAM提供了一個結合非揮發性、幾乎無限耐用、小單元尺寸且讀寫速度快的選擇，使MRAM成功在離散和嵌入實作方面取代快閃記憶體。MRAM也具有最終取代快取記憶體中的SRAM或替代NV-SRAM的潛力。長效高速自旋傳輸矩MRAM可能在電腦的主記憶體領域挑戰DRAM，並成為通用的記憶體架構。
預期其他的MTJ裝置將會用於高速可重構邏輯晶片或機會波通信系統中的可調式RF元件。自旋電子裝置因而能整合進大範圍的應用中，包括：行動電話、行動計算、PDA、聲訊/視訊、感應器、智能卡、RFID、數位影像、航太/軍事網路及工廠自動化。
自旋電子學定義
自旋電子學也稱磁電子學，係一門利用電子內部自旋的新興技術，用於固態裝置中。自旋電子裝置操控電子旋轉，而不是電荷，並且是在電子能自旋極化至其中一種狀態的基礎上運作的。自旋電子裝置的例子如MRAM和硬碟驅動讀寫頭。潛在的未來應用包括自旋電子電晶體。
StratIon fxP系統使用離子束製程來沉積金屬和介電薄膜，為全球第一臺12吋晶圓製造用的離子束沉積系統。該系統是為高產量生產矽晶廠所設計的，已生產的驗證硬體和軟體平臺，可依下列三種標準腔室型態組裝：預清洗、氧化和沉積。其他Aviza的沉積腔室，如原子層沉積（ALD）和磁控PVD能視彈性需要良好無縫地連接整合到此系統中。相較於現有的MTJ沉積系統，StratIon fxP擁有成本低、產出高，同時在工廠的占地面積也較小。
Leti首席執行長Laurent Malier博士說：「Aviza的StratIon fxP系統是Leti自旋電子研發製程整合的元件之一。」「在自旋電子技術方面，透過像Aviza這類的設備供應商合作，相信我們將為未來的自旋電子裝置提供具成本效益又值得量產的解決方案，因為他們達到高產量生產的轉變。」
Aviza的離子束沉積系統具有傳統磁控濺射法所沒有的重要優勢。使用Aviza專利的M0RI電漿源能在超低壓力下沉積薄膜，比現有MTJ濺射沉積設備所生產的薄膜要平滑兩倍。在MTJ疊層中，最薄的薄膜厚度小於10埃，而平滑度是一個關鍵參數。StratIon fxP能在12吋晶圓上生產方均根粗糙度小於2埃、厚度非均勻性小於0.5%的薄膜。
Aviza Technology總裁兼首席執行官Jerry Cutini：「我們很榮幸能與Leti這傑出的研究中心成為合作夥伴。」「我們相信兩家公司在這次技術專業方面的結合與合作下，將會加速MRAM和自旋電子技術的普遍應用。Aviza和Leti將支持IC製造商於MRAM和自旋電子產品領域取得優勢，因這些廠商正在尋求由研發到量產的轉變。」
寬頻應用的自旋電子技術
裝置尺寸的縮小對快閃記憶體廠商來說是個重大的挑戰，像是65奈米以下製程就有漏電問題需解決。快閃記憶體可能無法達到32奈米以下，所以記憶體廠商一直在尋找替代的架構。
MRAM提供了一個結合非揮發性、幾乎無限耐用、小單元尺寸且讀寫速度快的選擇，使MRAM成功在離散和嵌入實作方面取代快閃記憶體。MRAM也具有最終取代快取記憶體中的SRAM或替代NV-SRAM的潛力。長效高速自旋傳輸矩MRAM可能在電腦的主記憶體領域挑戰DRAM，並成為通用的記憶體架構。
預期其他的MTJ裝置將會用於高速可重構邏輯晶片或機會波通信系統中的可調式RF元件。自旋電子裝置因而能整合進大範圍的應用中，包括：行動電話、行動計算、PDA、聲訊/視訊、感應器、智能卡、RFID、數位影像、航太/軍事網路及工廠自動化。
自旋電子學定義
自旋電子學也稱磁電子學，係一門利用電子內部自旋的新興技術，用於固態裝置中。自旋電子裝置操控電子旋轉，而不是電荷，並且是在電子能自旋極化至其中一種狀態的基礎上運作的。自旋電子裝置的例子如MRAM和硬碟驅動讀寫頭。潛在的未來應用包括自旋電子電晶體。
