RAMTRON宣佈為4百萬位元並行非揮發性F-RAM記憶體提供FBGA封裝的選項

本文作者:admin       點擊: 2009-02-20 00:00
前言:
全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈提供採用最新FBGA 封裝的4百萬位元 (Mb) F-RAM記憶體。FM22LD16 是一款採用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 並行非揮發性F-RAM,具有存取速度高、幾乎沒有限制的讀/寫週期以及低功耗等優點。FM22LD16 與非同步靜態 RAM (SRAM) 在接腳上相容,以工業控制系統為應用目標,如機器人、網路和資料儲存應用、多功能印表機、自動導航系統,以及許多以SRAM為基礎的系統設計。此外,Ramtron 亦提供採用44 腳 TSOP封裝的4Mb並行F-RAM產品。

Ramtron 市場拓展經理Duncan Bennett表示:“FM22LD16 可讓系統設計人員在相同的占位面積中提供多四倍的 F-RAM 容量。這種新型的 4Mb FBGA封裝選項對於電路板空間受限的 RAID 控制器和工業 PC製造商而言,非常具有吸引力。而 FM22LD16 不需要電池,且具有更小的記憶體占位面積,是市場上空間效率最高的非揮發性RAM產品。

產品特點

FM22LD16 是256K×16 的非揮發性記憶體,採用工業標準平行介面實現存取,存取的時間為55ns,而週期為110ns。該器件以 “無延遲” (No Delay) 寫入的匯流排速度進行讀寫操作,耐久性至少為1E14 (100兆(trillion)) 次寫入,並提供10年的資料保存能力。 

這種4Mb FRAM 是標準非同步 SRAM 的直接替代元件 (drop-in replacement),但性能卻更為優異,因為它在進行資料備份時不需要電池,而且還由於它的單片形式一體成型 (monolithic form),讓它天生具有更高的可靠性。FM22LD16是一款真正的表面黏著解決方案,與電池供電的SRAM不同,它不需要電池連接的修改步驟,而且對潮濕、衝擊和振動具有很高的承受能力。

另外,FM22LD16 還擁有與現今高性能微處理器相連的介面,具有高速頁面模式的特性,能以高達40MHz的速度進行4位元組的 Burst讀/寫操作,這比其它非揮發性記憶體的匯流排速度高出很多。該器件的工作電流更低於類似密度的其它非揮發性記憶體,讀/寫操作時為8mA,而在待機模式下僅為90µA。FM22LD16在整個工業溫度範圍內 (-40℃至+85℃) 以2.7V至3.6V的電壓工作。

價格和供貨 

Ramtron  現已經可以提供FM22LD16的工程樣品,採用符合RoHS要求的48腳BGA封裝,小量訂購的起價為23美元。

關於Ramtron International

Ramtron International 總部設在美國科羅拉多州Colorado Springs市,是專門設計、開發和銷售專用的半導體記憶體和整合半導體解決方案的無晶圓廠半導體公司,產品廣泛用於各種應用和全球市場。要瞭解更多資訊,請造訪公司網站www.ramtron.com。

根據私人證券法1995年修訂案,“安全規避”聲明如下:還不是歷史事實的聲明是可能涉及風險和不確定性的“前瞻性聲明”,包括(但並不僅限於)全球經濟狀況的影響、供應和需求的變化、市場的接受程度、從設計轉為實際客戶訂貨和銷售的比率、競爭產品和定價的影響、產品開發、商業化和技術上的困難,以及產能和供應的約束。欲進一步瞭解所涉及的這些風險,請參考Ramtron提交給證券交易委員會(SEC)的文件。

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