恆憶 (Numonyx) 發佈業界首款採用 45 奈米製程技術的 MLC NOR 快閃記憶體樣本，不但為客戶提供高度的產品升級彈性和可靠度，更大幅提高恆憶記憶體產品效能。新產品遙遙領先上一代 65 奈米產品，是目前市場最先進的 NOR 快閃記憶體。恆憶 NOR 快閃記憶體晶片廣泛應用於執行手機中的重要作業，管理個人資料、儲存相片、音樂和影片。
這款45奈米、1 Gb 單石 (monolithic) 元件基於 Numonyx™ StrataFlash® 記憶體架構，與恆憶目前量產的 65奈米 NOR 快閃記憶體晶片接腳相容。產品架構的相容性和升級彈性可協助手機 OEM 廠大幅降低開發成本，延長現有產品平台的生命週期，利用大容量儲存和速度更快的記憶體立即執行 (execute-in-place) 功能，加速新產品上市時程。與上一代產品相比，新技術將資料寫入速度可提高 50% 。
恆憶技術長 Ed Doller 指出，手機記憶體市場還有很大的成長空間，而市場對高容量、低成本非揮發性 NOR 快閃記憶體的需求則是持續驅動市場快速成長的動力。恆憶工程師克服了技術升級的主要限制，透過新製程技術的開發，以業界最先進的 45 奈米技術製造第 7 代 MLC NOR 快閃記憶體，率先提供客戶最佳的成本與效能優勢。
恆憶大幅突破了新一代 NOR 快閃記憶體技術的設計。新產品採用新的自對準接觸 (SAC)，不僅維持與過去產品的相容性並兼顧高度可靠性和產品品質，同時使恆憶 NOR 快閃記憶體產品得以不斷升級。Doller也進一步表示，當整個產業還在設法解決快閃記憶體技術的升級能力時，恆憶推出的產品無論在架構與升級彈性上都達到、甚至超過了客戶對成本和可靠性的要求，確實是值得驕傲的成果。
恆憶目前正在針對特定的容量與數量進行新產品抽樣，並預計於今年推出採用這項新技術的產品，2010 年開始量產。恆憶更計畫將此項技術應用至所有的嵌入式快閃記憶體解決方案，把升級彈性架構的效能優勢、穩定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。
這款45奈米、1 Gb 單石 (monolithic) 元件基於 Numonyx™ StrataFlash® 記憶體架構，與恆憶目前量產的 65奈米 NOR 快閃記憶體晶片接腳相容。產品架構的相容性和升級彈性可協助手機 OEM 廠大幅降低開發成本，延長現有產品平台的生命週期，利用大容量儲存和速度更快的記憶體立即執行 (execute-in-place) 功能，加速新產品上市時程。與上一代產品相比，新技術將資料寫入速度可提高 50% 。
恆憶技術長 Ed Doller 指出，手機記憶體市場還有很大的成長空間，而市場對高容量、低成本非揮發性 NOR 快閃記憶體的需求則是持續驅動市場快速成長的動力。恆憶工程師克服了技術升級的主要限制，透過新製程技術的開發，以業界最先進的 45 奈米技術製造第 7 代 MLC NOR 快閃記憶體，率先提供客戶最佳的成本與效能優勢。
恆憶大幅突破了新一代 NOR 快閃記憶體技術的設計。新產品採用新的自對準接觸 (SAC)，不僅維持與過去產品的相容性並兼顧高度可靠性和產品品質，同時使恆憶 NOR 快閃記憶體產品得以不斷升級。Doller也進一步表示，當整個產業還在設法解決快閃記憶體技術的升級能力時，恆憶推出的產品無論在架構與升級彈性上都達到、甚至超過了客戶對成本和可靠性的要求，確實是值得驕傲的成果。
恆憶目前正在針對特定的容量與數量進行新產品抽樣，並預計於今年推出採用這項新技術的產品，2010 年開始量產。恆憶更計畫將此項技術應用至所有的嵌入式快閃記憶體解決方案，把升級彈性架構的效能優勢、穩定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。
