香港商富士通微電子有限公司台灣分公司今日宣布推出兩款新消費性FCRAM記憶體晶片(*1)，為業界首顆可承受125°C高溫運作範圍的記憶體，並可支援DDR SDRAM介面。此兩款新FCRAM產品將從今天開始提供樣本，包括512Mbit規格的MB81EDS516545晶片產品、以及256Mbit規格的MB81EDS256545晶片產品。此系列低功耗消費性記憶體，可針對系統級封裝(System-in-package，SiP)進行最佳化，以支援包括數位電視與數位錄影機等數位消費性產品。
客戶將藉由採用此新款結合SiP組態系統單晶片(SoC)的FCRAM晶片，而增加許多競爭優勢，即使因為運作速度提高，SiP的溫度隨之升高，但整個元件仍可維持順利運作，而不會受到記憶體的影響或限制。此外，還可提供客戶如減少產品開發投入資源、縮小機板空間、以及減少元件數量等方面的優勢（詳細資料請參考附件一）。
現今的數位消費性產品不斷要求更高效能、更快速度、以及更低成本。為滿足這些方面的需求，越來越多業者開始運用結合SoC記憶體晶片的SiP產品。採用SiP能減少必要的元件數量，並減少機板空間，進而協助降低系統成本。SiP亦可簡化設計，像是開發高速記憶體介面，或是降低雜訊的措施。
如圖1所示，直到目前為止，傳統記憶體在使用SiP時所面臨的許多限制，在採用新型FCRAM產品後都能一一解決。圖1(a)顯示一個SiP組態，其中高效能SoC的功耗佔了很大的比例，而運作後產生的熱量將使SiP溫度高達攝氏105度。此款SoC的最高耐熱溫度為攝氏125度，因此能完全正常運作，但採用傳統記憶體卻僅能耐熱至攝氏95度，所以無法使用這種SiP組態。
想採用SiP封裝規格來運用此類傳統記憶體，另一種選擇就是加裝像散熱片等散熱裝置。如圖1(b)所示，此種設計能把SiP溫度降到90°C，讓系統能順利運作，但卻會增加成本與體積。因此，許多一直在評估是否要採用SiP規格的客戶，都希望記憶體能支援更大的運作溫度範圍。
富士通微電子為因應這些需求，已著手開發這些最高運作溫度達125°C的512 Mbit與256Mbit消費性FCRAM產品。如圖1(c)所示，採用可耐熱125°C的FCRAM，即使SoC消耗極高的電力，SiP仍能正常運作，且不必加裝散熱片。如此即可解決因採用耐熱95°C的傳統記憶體時，需要增加散熱措施而導致成本提高的問題。
此外，即使在125°C的運作溫度下，這些FCRAM產品的資料傳輸率還可達到傳統DDR SDRAM記憶體的兩倍，並且還能壓低功耗。事實上，新款512 Mbit FCRAM的功耗僅需傳統DDR2 SDRAM記憶體的50%。因此，這些新款FCRAM能讓數位消費性產品內建的記憶體，減少50%的二氧化碳排放量（詳細資料請參考附件二）。
富士通微電子將繼續開發能以SiP規格供應所需效能與功能的各種產品，並能為客戶在數位消費性產品設計方面，提供具備最佳化價值與成本的各種解決方案。
價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。
主要特性
1. 業界首款可耐熱125°C的記憶體
這些新款FCRAM最高運作溫度可達125°C，相較於傳統SDRAM記憶體的最高耐熱溫度為85°C 或95°C，已大幅提高系統內所需的功耗強度。所以業者即可開發出像是高功耗SoC這種以往不可能實現的SiP解決方案，有許多高效能數位消費性電子產品即需要此類元件，以往若再加上記憶體就可能會有過熱的問題。此外，它也允許業者使用不需要高耐熱規格的低成本封裝。
2. 低功耗效能
藉由把匯流排寬度擴大到64位元，加上降低運作頻率，且不需要終端電阻(*2)，能讓這些新款FCRAM比兩顆傳統16位元匯流排寬度的DDR2 SDRAM記憶體晶片，最高可減少50%耗電量。新款FCRAM能讓各種數位消費性產品內建記憶體減少50%的二氧化碳排放量。
3. 高資料頻寬
在125°C的運作溫度下，加上64位元匯流排寬度與最高達200MHz的運作頻率，讓這些新款FCRAM能提供每秒3.2 Gbytes的資料傳輸率，是傳統DDR2 SDRAM記憶體的2倍。而在105°C以下的運作溫度，加上216 MHz的運作頻率，資料傳輸率將可提高到每秒3.46Gbyte。
注釋
*1. 消費性FCRAM: FCRAM(快速循環隨機存取記憶體)是富士通微電子的專利RAM核心架構，具備高速與低功耗的特性。消費級FCRAM核心擁有業界標準的低功耗SDRAM介面，並可針對數位消費性產品的使用模式進行最佳化。
*2. 終端電阻:電阻連結至電路線或訊號的終端。它們可用來避免訊號反射所產生的干擾，但也會消耗可觀的電力。在DDR2 SDRAM方面，終端電阻已嵌入在晶片中(可稱為ODT:晶片上終端電阻)
價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。
相關網站:
富士通微電子FCRAM產品介紹網頁： http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/
關於香港商富士通微電子有限公司台灣分公司(Fujitsu Microelectronics Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員，主要負責富士通微電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司的產品包括：專用積體電路（ASIC）、微控制器（MCU）、特定應用標準產品（ASSP）/系統單晶片（SoC）和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司，並於2005年7月5日正式更名。富士通微型電子亞太有限公司與富士通微電子（上海）有限公司、新加坡的富士通微電子亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fmc/tw網站。
客戶將藉由採用此新款結合SiP組態系統單晶片(SoC)的FCRAM晶片，而增加許多競爭優勢，即使因為運作速度提高，SiP的溫度隨之升高，但整個元件仍可維持順利運作，而不會受到記憶體的影響或限制。此外，還可提供客戶如減少產品開發投入資源、縮小機板空間、以及減少元件數量等方面的優勢（詳細資料請參考附件一）。
現今的數位消費性產品不斷要求更高效能、更快速度、以及更低成本。為滿足這些方面的需求，越來越多業者開始運用結合SoC記憶體晶片的SiP產品。採用SiP能減少必要的元件數量，並減少機板空間，進而協助降低系統成本。SiP亦可簡化設計，像是開發高速記憶體介面，或是降低雜訊的措施。
如圖1所示，直到目前為止，傳統記憶體在使用SiP時所面臨的許多限制，在採用新型FCRAM產品後都能一一解決。圖1(a)顯示一個SiP組態，其中高效能SoC的功耗佔了很大的比例，而運作後產生的熱量將使SiP溫度高達攝氏105度。此款SoC的最高耐熱溫度為攝氏125度，因此能完全正常運作，但採用傳統記憶體卻僅能耐熱至攝氏95度，所以無法使用這種SiP組態。
想採用SiP封裝規格來運用此類傳統記憶體，另一種選擇就是加裝像散熱片等散熱裝置。如圖1(b)所示，此種設計能把SiP溫度降到90°C，讓系統能順利運作，但卻會增加成本與體積。因此，許多一直在評估是否要採用SiP規格的客戶，都希望記憶體能支援更大的運作溫度範圍。
富士通微電子為因應這些需求，已著手開發這些最高運作溫度達125°C的512 Mbit與256Mbit消費性FCRAM產品。如圖1(c)所示，採用可耐熱125°C的FCRAM，即使SoC消耗極高的電力，SiP仍能正常運作，且不必加裝散熱片。如此即可解決因採用耐熱95°C的傳統記憶體時，需要增加散熱措施而導致成本提高的問題。
此外，即使在125°C的運作溫度下，這些FCRAM產品的資料傳輸率還可達到傳統DDR SDRAM記憶體的兩倍，並且還能壓低功耗。事實上，新款512 Mbit FCRAM的功耗僅需傳統DDR2 SDRAM記憶體的50%。因此，這些新款FCRAM能讓數位消費性產品內建的記憶體，減少50%的二氧化碳排放量（詳細資料請參考附件二）。
富士通微電子將繼續開發能以SiP規格供應所需效能與功能的各種產品，並能為客戶在數位消費性產品設計方面，提供具備最佳化價值與成本的各種解決方案。
價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。
主要特性
1. 業界首款可耐熱125°C的記憶體
這些新款FCRAM最高運作溫度可達125°C，相較於傳統SDRAM記憶體的最高耐熱溫度為85°C 或95°C，已大幅提高系統內所需的功耗強度。所以業者即可開發出像是高功耗SoC這種以往不可能實現的SiP解決方案，有許多高效能數位消費性電子產品即需要此類元件，以往若再加上記憶體就可能會有過熱的問題。此外，它也允許業者使用不需要高耐熱規格的低成本封裝。
2. 低功耗效能
藉由把匯流排寬度擴大到64位元，加上降低運作頻率，且不需要終端電阻(*2)，能讓這些新款FCRAM比兩顆傳統16位元匯流排寬度的DDR2 SDRAM記憶體晶片，最高可減少50%耗電量。新款FCRAM能讓各種數位消費性產品內建記憶體減少50%的二氧化碳排放量。
3. 高資料頻寬
在125°C的運作溫度下，加上64位元匯流排寬度與最高達200MHz的運作頻率，讓這些新款FCRAM能提供每秒3.2 Gbytes的資料傳輸率，是傳統DDR2 SDRAM記憶體的2倍。而在105°C以下的運作溫度，加上216 MHz的運作頻率，資料傳輸率將可提高到每秒3.46Gbyte。
注釋
*1. 消費性FCRAM: FCRAM(快速循環隨機存取記憶體)是富士通微電子的專利RAM核心架構，具備高速與低功耗的特性。消費級FCRAM核心擁有業界標準的低功耗SDRAM介面，並可針對數位消費性產品的使用模式進行最佳化。
*2. 終端電阻:電阻連結至電路線或訊號的終端。它們可用來避免訊號反射所產生的干擾，但也會消耗可觀的電力。在DDR2 SDRAM方面，終端電阻已嵌入在晶片中(可稱為ODT:晶片上終端電阻)
價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。
相關網站:
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關於香港商富士通微電子有限公司台灣分公司(Fujitsu Microelectronics Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員，主要負責富士通微電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司的產品包括：專用積體電路（ASIC）、微控制器（MCU）、特定應用標準產品（ASSP）/系統單晶片（SoC）和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司，並於2005年7月5日正式更名。富士通微型電子亞太有限公司與富士通微電子（上海）有限公司、新加坡的富士通微電子亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊請瀏覽http://
