Ramtron International 日前宣佈推出採用緊湊型FBGA封裝的8百萬位元(Mb) F-RAM記憶體。FM23MLD16是一款採用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V並行非揮發性RAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數以及低功耗等優點。該器件與非同步靜態 RAM (SRAM) 接腳相容，適用於工業控制系統，例如機器人、網路RAID儲存解決方案、多功能印表機、自動導航系統，以及其他許多以SRAM為基礎的系統設計。
Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 表示：“這款8-Mb F-RAM 並行記憶體，以及我們最近發表的4-Mb FM22LD16，都經過專門的設計，以滿足客戶對寫入密集型資料收集應用之更高密度記憶體的需求。這兩款產品的接腳相容，可以輕鬆地實現密度升級。系統設計人員使用FM23MLD16可將F-RAM 密度提高7倍，而占位面積則等同於TSOP32 封裝。”
產品主要特性
FM23MLD16是512K×16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面來進行存取，存取的時間為60ns，週期時間為115ns。該器件以 ‘無延遲(NoDelay™)’寫入的匯流排速度進行讀寫操作，耐久性至少為1E14 (100萬億) 次的寫入，並提供10年的資料保存能力。
與採用由電池供電的 SRAM (BBSRAM) 相比，FM23MLD16的性能更為出色，因為它在進行資料備份時不需要電池。FM23MLD16是真正的表面黏貼解決方案，與由電池供電的SRAM不同，它不需要電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕性、抗衝擊性和抗振動能力，這使得F-RAM成為要求嚴苛的工業應用的理想選擇。FM23MLD16包含一個低壓監控器，當電源電壓低於臨界閥值時，將禁止對記憶體的存取，從而防止記憶體在這種情況下出現不當的無意存取，避免資料受到破壞。
此外，FM23MLD16還具有便於與現今高性能微處理器相連的介面，兼具高速頁面模式，能以高達33MHz.的速度進行8位元組的Burst讀/寫操作。該器件的讀/寫工作電流為9mA，待機模式下的典型電流僅為180µA。FM23MLD16在整個工業溫度範圍內 (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。
價格和供貨
Ramtron 現已開始供應FM23MLD16的樣品，採用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝，訂購1萬片時的價格為29.23美元。
Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 表示：“這款8-Mb F-RAM 並行記憶體，以及我們最近發表的4-Mb FM22LD16，都經過專門的設計，以滿足客戶對寫入密集型資料收集應用之更高密度記憶體的需求。這兩款產品的接腳相容，可以輕鬆地實現密度升級。系統設計人員使用FM23MLD16可將F-RAM 密度提高7倍，而占位面積則等同於TSOP32 封裝。”
產品主要特性
FM23MLD16是512K×16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面來進行存取，存取的時間為60ns，週期時間為115ns。該器件以 ‘無延遲(NoDelay™)’寫入的匯流排速度進行讀寫操作，耐久性至少為1E14 (100萬億) 次的寫入，並提供10年的資料保存能力。
與採用由電池供電的 SRAM (BBSRAM) 相比，FM23MLD16的性能更為出色，因為它在進行資料備份時不需要電池。FM23MLD16是真正的表面黏貼解決方案，與由電池供電的SRAM不同，它不需要電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕性、抗衝擊性和抗振動能力，這使得F-RAM成為要求嚴苛的工業應用的理想選擇。FM23MLD16包含一個低壓監控器，當電源電壓低於臨界閥值時，將禁止對記憶體的存取，從而防止記憶體在這種情況下出現不當的無意存取，避免資料受到破壞。
此外，FM23MLD16還具有便於與現今高性能微處理器相連的介面，兼具高速頁面模式，能以高達33MHz.的速度進行8位元組的Burst讀/寫操作。該器件的讀/寫工作電流為9mA，待機模式下的典型電流僅為180µA。FM23MLD16在整個工業溫度範圍內 (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。
價格和供貨
Ramtron 現已開始供應FM23MLD16的樣品，採用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝，訂購1萬片時的價格為29.23美元。
