Cypress Semiconductor宣布推出業界首款單片式(monolithic)SRAM，密度可達144-Mbit，是65奈米 SRAM系列元件的最新成員。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子聯手開發的65奈米製程技術。這些元件提供目前市場上最快速的550 MHz時脈速度、以36位元I/O的QDRII+元件提供80 Gbps總資料傳輸率，並且僅佔90奈米SRAM一半的耗電量。這些元件適合支援各種網路應用，包括網際網路核心與邊界路由器、固定與模組化乙太網路交換器、3G基地台與安全路由器，並能提升包括醫療成像與軍事訊號處理系統的效能。新款元件與90奈米SRAM的針腳可相容，在維持相同的電路板佈線的前提下，能網路客戶能提升其方案效能，並可讓定位表或封包緩衝區的容量倍增。
Cypress的65奈米 QDR與DDR SRAM與90奈米SRAM相比，可降低最多達50% 的待機與動態電流功耗，達成新一波的「環保」網路基礎建設應用。QDRII+與DDRII+元件擁有嵌入於晶粒內的終端電阻(ODT)，由於無需使用外部終端電阻，故能提高訊號完整性、降低系統成本，以及節省電路板空間。65奈米元件採用相位鎖定迴路(PLL)取代延遲鎖定迴路(DLL)，可加寬35%的Data valid window，以簡化機板層級的時序收斂，並可提高與第三方廠商處理器之相容性。
Cypress公司同步與時序產品部門副總裁Dave Kranzler表示：「Cypress身為全球SRAM市場的領導者，我們提供了目前業界陣容最廣大的產品。此款新推出的方案提供業界最快、最大量的元件，進一步擴大領先優勢。這是再次明確強調我們致力投入SRAM市場的決心。 」
供應時程與產品圖片
CY7C16xxKV18 65-nm QDRII、QDRII+、DDRII、DDRII+ SRAM現已開始供應樣本，預計於2010年第1季開始量產。每款元件均提供多重組態，包括不同的I/O寬度(x18或x36)、突發傳輸週期 (B4或B2)、以及延遲 (1.5、2.0、或2.5)。65奈米 144-Mbit SRAM採用業界標準 165 FBGA封裝，與現有90奈米 QDR以及DDR RAM元件的針腳相容，能讓客戶輕易轉換設計。欲獲得高解析QDRII+SRAM圖片，請至下列網站下載：
www.cypress.com/go /pr/144MbitSRAMphoto。
Cypress的65奈米 QDR與DDR SRAM與90奈米SRAM相比，可降低最多達50% 的待機與動態電流功耗，達成新一波的「環保」網路基礎建設應用。QDRII+與DDRII+元件擁有嵌入於晶粒內的終端電阻(ODT)，由於無需使用外部終端電阻，故能提高訊號完整性、降低系統成本，以及節省電路板空間。65奈米元件採用相位鎖定迴路(PLL)取代延遲鎖定迴路(DLL)，可加寬35%的Data valid window，以簡化機板層級的時序收斂，並可提高與第三方廠商處理器之相容性。
Cypress公司同步與時序產品部門副總裁Dave Kranzler表示：「Cypress身為全球SRAM市場的領導者，我們提供了目前業界陣容最廣大的產品。此款新推出的方案提供業界最快、最大量的元件，進一步擴大領先優勢。這是再次明確強調我們致力投入SRAM市場的決心。 」
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CY7C16xxKV18 65-nm QDRII、QDRII+、DDRII、DDRII+ SRAM現已開始供應樣本，預計於2010年第1季開始量產。每款元件均提供多重組態，包括不同的I/O寬度(x18或x36)、突發傳輸週期 (B4或B2)、以及延遲 (1.5、2.0、或2.5)。65奈米 144-Mbit SRAM採用業界標準 165 FBGA封裝，與現有90奈米 QDR以及DDR RAM元件的針腳相容，能讓客戶輕易轉換設計。欲獲得高解析QDRII+SRAM圖片，請至下列網站下載：
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