恆憶 (Numonyx B.V.) 與英特爾 (Intel Corporation) 宣佈相變化記憶體 (PCM) 研究的關鍵性突破，此項非揮發性記憶體技術結合了現今多種類型記憶體的優點。研究人員也首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM 陣列的 64Mb 測試晶片。對於隨機存取非揮發性記憶體及儲存應用而言，此一成果也為發展容量更高、功耗更低且體積更小的記憶體裝置奠定重要基礎。
此為恆憶與英特爾長期合作研究的成果，該計劃著重於研究多層式或堆疊式 PCM 單元陣列。恆憶與英特爾雙方的研究人員目前已展示PCMS (相變化記憶體及開關)的垂直式整合記憶體單元。PCMS 包含一個 PCM 元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關 (Ovonic Threshold Switch, OTS)堆疊於交叉點陣列 (cross point arrays) 中。其堆疊 PCMS 陣列的能力有助擴充記憶體容量，同時維持 PCM 的效能特性，這對於傳統的記憶體技術而言是相當不易克服的挑戰。
恆憶資深技術研究員 Greg Atwood 表示相當看好目前成果的前景，此項成果同時也顯示了未來的 PCM 產品發展更高容量、可擴充式陣列及類 NAND 使用模式的可能。由於從手機到資料中心，每一項應用對記憶體的需求都持續增加，而傳統的快閃記憶體技術正面臨某些實體限制和可靠性等問題，這項成果在此刻更顯重要。
英特爾研究員兼記憶體技術開發總監 Al Fazio 表示，英特爾持續開發記憶體技術，以期推動運算平台發展。英特爾對於目前研究的里程碑感到相當振奮，並且預期未來 PCMS 等記憶體技術對於延伸記憶體在運算解決方案中所扮演的角色，以及對於效能及記憶體擴充方面的重要性。
記憶體單元是由儲存元件及選擇器堆疊而成，而多個單元又組成記憶體陣列。恆憶與英特爾的研究人員現已利用薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴充時的實體及用電需求。透過薄膜 PCMS 的相容性，多層的交叉點記憶體陣列目前已成為可能。當整合並嵌入交叉點陣列後，多層式陣列便可結合 CMOS 電路的解碼、偵測及邏輯功能。
更多關於記憶體單元、交叉點陣列、實驗及成果的資訊登載於 “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” 這份共同文件中，並且將於 2009 年 12 月 9 日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國際電子裝置會議 (International Electron Devices Meeting) 中發表。此文件由恆憶與英特爾雙方的技術人員共同完成，並將由英特爾資深首席工程師 DerChang Kau 代表發表。
此為恆憶與英特爾長期合作研究的成果，該計劃著重於研究多層式或堆疊式 PCM 單元陣列。恆憶與英特爾雙方的研究人員目前已展示PCMS (相變化記憶體及開關)的垂直式整合記憶體單元。PCMS 包含一個 PCM 元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關 (Ovonic Threshold Switch, OTS)堆疊於交叉點陣列 (cross point arrays) 中。其堆疊 PCMS 陣列的能力有助擴充記憶體容量，同時維持 PCM 的效能特性，這對於傳統的記憶體技術而言是相當不易克服的挑戰。
恆憶資深技術研究員 Greg Atwood 表示相當看好目前成果的前景，此項成果同時也顯示了未來的 PCM 產品發展更高容量、可擴充式陣列及類 NAND 使用模式的可能。由於從手機到資料中心，每一項應用對記憶體的需求都持續增加，而傳統的快閃記憶體技術正面臨某些實體限制和可靠性等問題，這項成果在此刻更顯重要。
英特爾研究員兼記憶體技術開發總監 Al Fazio 表示，英特爾持續開發記憶體技術，以期推動運算平台發展。英特爾對於目前研究的里程碑感到相當振奮，並且預期未來 PCMS 等記憶體技術對於延伸記憶體在運算解決方案中所扮演的角色，以及對於效能及記憶體擴充方面的重要性。
記憶體單元是由儲存元件及選擇器堆疊而成，而多個單元又組成記憶體陣列。恆憶與英特爾的研究人員現已利用薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴充時的實體及用電需求。透過薄膜 PCMS 的相容性，多層的交叉點記憶體陣列目前已成為可能。當整合並嵌入交叉點陣列後，多層式陣列便可結合 CMOS 電路的解碼、偵測及邏輯功能。
更多關於記憶體單元、交叉點陣列、實驗及成果的資訊登載於 “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” 這份共同文件中，並且將於 2009 年 12 月 9 日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國際電子裝置會議 (International Electron Devices Meeting) 中發表。此文件由恆憶與英特爾雙方的技術人員共同完成，並將由英特爾資深首席工程師 DerChang Kau 代表發表。
