三星電子宣佈正式領先量產業界第一款20奈米級NAND晶片，可用在SD記憶卡與嵌入式記憶體解決方案，基於這先進的技術而發表的32Gb MLC NAND，更進一步擴展三星的記憶卡解決方案，可提供智慧型手機、高階IT應用與高效能記憶卡更多開發選擇。
三星電子記憶體部門董事長Soo-In Cho表示，”開始量產30奈米級NAND僅僅一年之後，三星已經能提供下一代的20奈米級NAND解決方案，遠遠超過了客戶對高效能與高密度NAND解決方案的需求” Soo-In Cho更指出，”此全新20奈米級NAND不只是製程上的一大躍進，更代表我們實現先進技術，並促成重要的效能創新。”
相較於30奈米級MLC NAND，三星20奈米級MLC NAND的生產率高出50%，在寫入速度上，20奈米級8GB以上的SD卡比30奈米級NAND速度快30%，並實現了速度等級10 (讀取速度每秒20MB，寫入速度每秒10MB)。透過應用前端的製程、設計與控制器技術，三星也確保其可信賴性是與30奈米級NAND不相上下的。
2009年3月，三星電子首先開始量產30奈米級32Gb NAND，現在已可提供使用20奈米級32Gb NAND的SD卡樣品給客戶，並將在今年下半年擴大生產。基於20奈米級技術的記憶卡將能提供4GB到64GB的不同密度選擇。
三星高效能優質NAND的發表，將更能支持與滿足來自智慧型手機、高階IT應用與高效能記憶卡對於記憶體的需求。
三星電子記憶體部門董事長Soo-In Cho表示，”開始量產30奈米級NAND僅僅一年之後，三星已經能提供下一代的20奈米級NAND解決方案，遠遠超過了客戶對高效能與高密度NAND解決方案的需求” Soo-In Cho更指出，”此全新20奈米級NAND不只是製程上的一大躍進，更代表我們實現先進技術，並促成重要的效能創新。”
相較於30奈米級MLC NAND，三星20奈米級MLC NAND的生產率高出50%，在寫入速度上，20奈米級8GB以上的SD卡比30奈米級NAND速度快30%，並實現了速度等級10 (讀取速度每秒20MB，寫入速度每秒10MB)。透過應用前端的製程、設計與控制器技術，三星也確保其可信賴性是與30奈米級NAND不相上下的。
2009年3月，三星電子首先開始量產30奈米級32Gb NAND，現在已可提供使用20奈米級32Gb NAND的SD卡樣品給客戶，並將在今年下半年擴大生產。基於20奈米級技術的記憶卡將能提供4GB到64GB的不同密度選擇。
三星高效能優質NAND的發表，將更能支持與滿足來自智慧型手機、高階IT應用與高效能記憶卡對於記憶體的需求。
