磁性隨機記憶體(MRAM)和整合型磁（Integrated Magnetic）產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在，所有需要無電資料保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。
Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MRAM產品的容量，並以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”
MR4A16B 是一款3.3V、並行I/O非揮發RAM，其超快的存取周期僅爲35ns，並允許無限制的讀/寫迴圈。在每次寫入後，資料能持續保存超過20年。此外，與其他記憶體不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬爲16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與非同步SRAM相容。MR4A16B目標應用爲工業自動化、機器人、網路和資料儲存、多功能印表機、以及其他許多傳統受限於需採用SRAM設計的系統。
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其他非揮發RAM產品相容。
供貨情況
新款16Mb MRAM系列包括商業級(0°C至+70 °C)和工業級(-40°C至+85 °C)兩種溫度範圍。現已可提供樣品，並預計於2010年7月開始量產。價格諮詢請聯繫Everspin銷售部和代理商。
Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MRAM產品的容量，並以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”
MR4A16B 是一款3.3V、並行I/O非揮發RAM，其超快的存取周期僅爲35ns，並允許無限制的讀/寫迴圈。在每次寫入後，資料能持續保存超過20年。此外，與其他記憶體不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬爲16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與非同步SRAM相容。MR4A16B目標應用爲工業自動化、機器人、網路和資料儲存、多功能印表機、以及其他許多傳統受限於需採用SRAM設計的系統。
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其他非揮發RAM產品相容。
供貨情況
新款16Mb MRAM系列包括商業級(0°C至+70 °C)和工業級(-40°C至+85 °C)兩種溫度範圍。現已可提供樣品，並預計於2010年7月開始量產。價格諮詢請聯繫Everspin銷售部和代理商。
