DRAM產業競爭 台系DRAM廠轉型與挑戰

根據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，台系DRAM廠中， 南科以及華亞科在明年將有產能提升及製程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為台灣DRAM廠之冠。

觀察台系DRAM產業的發展史，以華邦成立於1987年最早，孕育台系DRAM人才無數，台灣DRAM產業於1994年後快速發展，力晶、茂德與南科相繼成立，與日系廠商展開技術合作，華亞科與瑞晶於2003年與2007年以台灣、德國及台灣、日本合資設廠， 使台灣DRAM產能於2008年底月投片量達53萬片，占全球DRAM投片量35%，成為全球12吋DRAM廠密度最高的國家，但在2007年至2009年嚴重的供需失衡下，，台系DRAM廠也承受極大的財務虧損壓力。

根據集邦科技統計，韓系廠商在今年第二季營收排名的市占率已經高達55。3%，比2008年第四季金融風暴時期的45。5%，成長近10%，而台系DRAM廠也在今年DRAM景氣回升中， 力求加強產業競爭力， 各公司策略布局分析如下:
 
在台系DRAM廠中，華邦正積極退出標準型DRAM生產， 加強NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(繪圖用記憶體)及SDRAM(利基型記憶體)等四項產品線，在NOR FLASH市場短缺下，華邦成功調整產品線，確保生產獲利率穩定並持續提升，同時華邦決定以奇夢達所開發的46nm為基礎，自主研發46nm，於2011年底量產。

在爾必達聯台抗韓策略下， 力晶、瑞晶與茂德與爾必達合作在未來更為密切，除加速製程轉進，為降低單項產品價格波動風險，力晶的產品線策略，採取標準型DRAM、代工與Flash三者並進的經營模式，並於今年底導入DRAM 45nm製程， 加上瑞晶產能貢獻三成，產出及營收可望持續成長。代工也繼續以每月三萬片至四萬片的投片與客戶合作並計畫明年將65nm製程導入代工生產，Flash方面明年則將有50nm製程1Gb SLC及40nm製程的MLC 16Gb產出。

瑞晶成為爾必達的子公司後，在母公司的策略規劃下將成為爾必達的生產標準型DRAM的重鎮，預計今年底可有六台浸潤式機台移入，並計劃於明年首季底全數轉入45nm製程。

茂德方面，目前中科廠已經恢復至滿載6萬片，今年底， 投片3萬片是幫爾必達代工63nm製程，加上未來爾必達考慮將低容量的Mobile DRAM委外交給茂德，以後茂德將有一半以上的產能以代工性質為主。