根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange調查，十一月下旬DDR3 2GB的合約均價再度下跌達12%，從25美元下跌至22美元，低價成交價亦下跌12.5%至21美元。DRAM市場自第四季以來，由於DRAM廠產出持續增加，電腦系統廠需求卻逐月減弱，市場超額供給持續擴大，以致DRAM廠不斷以降價策略，期銷售出超額供給的顆粒。今年第四季至今，合約價跌幅已超過30%，預計DDR3 1Gb 合約價第四季QoQ價格跌幅將近40%。
現貨市場亦呈現價跌量縮走勢，DDR3 1Gb eTT顆粒均價本月中至今下跌約5%至1.32美元，DDR2 1Gb eTT顆粒均價在供給有限下，走勢相對平穩，但仍小幅下滑來到1.44美元。近期由於部份台系廠良率不佳，現貨市場出現不少良率低或是時脈不到1333Mhz的DDR3顆粒，使低良率1Gb ett顆粒單價已接近1美元價位。
展望2011年DRAM市場，預期市場在上半年仍持續供給過多，DRAM廠面臨價格持續破底壓力，對於成本結構無法快速下降的DRAM廠，無疑是寒冬再來。韓廠三星在大幅拉高今年DRAM資本支出下，製程邁進35nm，在成本結構及市佔率與對手距離將持續擴大，預估明年三星DRAM市佔率將穩居40%以上，同時即使DRAM價格大跌，也能保持DRAM部門持續獲利。
集邦科技預估2011 年DRAM價格大跌後，若能刺激DRAM搭載率大幅提升，則DRAM價格有機會於Q2落底，下半年走勢回到$1-$1.2的水準。若需求提升不如預期，持續低迷的DRAM價格將迫使部份DRAM廠減產幅度擴大。
現貨市場亦呈現價跌量縮走勢，DDR3 1Gb eTT顆粒均價本月中至今下跌約5%至1.32美元，DDR2 1Gb eTT顆粒均價在供給有限下，走勢相對平穩，但仍小幅下滑來到1.44美元。近期由於部份台系廠良率不佳，現貨市場出現不少良率低或是時脈不到1333Mhz的DDR3顆粒，使低良率1Gb ett顆粒單價已接近1美元價位。
展望2011年DRAM市場，預期市場在上半年仍持續供給過多，DRAM廠面臨價格持續破底壓力，對於成本結構無法快速下降的DRAM廠，無疑是寒冬再來。韓廠三星在大幅拉高今年DRAM資本支出下，製程邁進35nm，在成本結構及市佔率與對手距離將持續擴大，預估明年三星DRAM市佔率將穩居40%以上，同時即使DRAM價格大跌，也能保持DRAM部門持續獲利。
集邦科技預估2011 年DRAM價格大跌後，若能刺激DRAM搭載率大幅提升，則DRAM價格有機會於Q2落底，下半年走勢回到$1-$1.2的水準。若需求提升不如預期，持續低迷的DRAM價格將迫使部份DRAM廠減產幅度擴大。
