根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，1Q11 NAND Flash市場受到12月中東芝/晟碟陣營工廠跳電事件影響到1月NAND Flash市場的供給量，中國農曆年長假前的庫存回補需求，2月下旬記憶卡&UFD通路市場開始進入傳統淡季，3月初Apple發表iPad 2的新產品上市效應及3月中日本大地震帶來短中期的供給面不確定因素等的多空複合因素的影響下，改變了1Q淡季市場的原本型態，使得價格出現較戲劇性的起伏變化，1Q11整體品牌NAND Flash供應商的ASP下跌約3% QoQ，就需求面而言 1Q11的記憶卡及UFD通路市場的需求依然疲軟，但來自某些平板電腦及智慧型手機客戶的OEM訂單依然穩定地成長，使得1Q11整體NAND Flash品牌供應商的位元出貨量得以成長約13% QoQ，故整體NAND Flash品牌供應商的1Q11營收成長約9.9% QoQ成為53億6千3百萬美元。
依1Q11 NAND Flash品牌廠商季營收排行來看，三星(Samsung)營收為19億4千1百萬美元，市佔率為36.2%，仍維持第一；東芝(Toshiba)營收為18億8千3百萬美元，以市佔率35.1%仍排名第二；美光(Micron)為第三名，營收為6億1千萬美元，市佔率為11.4%；海力士(Hynix)為第四名，營收5億7千4百萬美元，市佔率為10.7%；英特爾(Intel)列名第五，營收為3億5千5百萬美元，市佔率為6.6%。
1Q11品牌NAND Flash供應商營運分析
三星電子
1Q11三星受惠於來自某些智慧型手機及平板電腦等系統產品客戶的需求暢旺，因此得以彌補在記憶卡& UFD零售通路市場的疲弱需求，故1Q11季位元出貨量得以成長約20% QoQ以上，ASP則約下跌約10% QoQ，再加上受韓圜小幅升值的影響，因此1Q11的季營收成長約8.8% QoQ成為19億4千1百萬美元，1Q11市佔率成為36.2%，三星預期2Q11來自系統客戶的OEM訂單仍將穩健，但來自記憶卡& UFD通路市場客戶的需求仍將疲弱，故其2Q11的位元出貨量將可望成長約30% QoQ以上，但因2Q11 市場多空變數較多故其仍在觀察後續的價格走勢變化，2011年三星將會以持續提高27nm製程產品的產出比重及於2H11轉進21nm新製程技術來強化其成本競爭力，並開發新的嵌入式(embedded)產品及SSD等來提高其來自系統產品客戶的銷售比重。
東芝電子
東芝受12月初發生跳電意外的影響，使得其1-2月的產出量也因之減少，同時來自某些智慧型手機及平板電腦系統客戶的OEM訂單及記憶卡策略夥伴的需求仍佳，使得價格呈現小幅下跌及位元出貨量穩定增加的狀況，因此1Q11季營收小漲約8% QoQ成為18億8千3百萬美元，1Q11市佔率成為35.1%。2011年東芝也將持續地提升24nm新製程技術的產出比重及於2H11轉進19nm新製程技術來強化其成本競爭力，與晟碟(SanDisk)合資的300mm Fab5新廠也預計在2H11開始量產，東芝也將獲得約一半的新產能，同時也將會開發嵌入式產品及SSD來持續提高系統產品客戶的銷售比重，以因應新興智能移動裝置的成長需求。
美光科技
上季美光受惠於來自某些系統客戶OEM訂單，自有Lexar零售通路及合併Numonyx後所帶來的嵌入式產品新客戶等助力下，季位元出貨量成長約20%QoQ以上，但在部份產品ASP下跌的影響下，使得上季營收成長約12.1% QoQ成為6億1千萬美元，上季的市佔率為11.4%，由於1Q11時主力製程技術多已轉為25nm，故美光預估其下一季的位元產出量約成長10% QoQ，在看好系統產品客戶穩定需求及考量日本地震後可能帶來的供給變數下，美光預期其下一季的ASP可望能有微幅的上漲，另外美光與英特爾合資的300mm新加坡新廠的月產量將可望在2011年底前逐漸增加到6萬片，2011年美光也將進一步提升來自新興智能移動裝置的嵌入式產品及SSD的銷售比重。
海力士半導體
1Q11海力士在提高來自系統產品客戶的銷售比重以來降低記憶卡&UFD通路市場疲弱需求的努力下，因此1Q11 位元出貨量增加約15% QoQ，但ASP則與上季維持持平的狀況，故1Q11季營收成長約12.5% QoQ成為5億7千4百萬美元，1Q11的市佔率成為10.7%，2Q11海力士在看好來自某些智能手機及平板電腦等系統客戶的OEM訂單依然穩健 故預期其2Q11的位元出貨量將成長約30% QoQ以上， 同時在考量日本地震後可能帶來的供給緊缺因素將有助於減緩記憶卡&UFD通路市場淡季效應下，海力士預期其2Q11 ASP將小幅下跌約5%QoQ，2011年海力士將會持續提高26nm新製程技術的產出比重及於2H11轉進20nm的新製程技術來強化其成本競爭力，同時也會開發嵌入式產品及SSD新產品以持續提高系統產品客戶的銷售比重。
英特爾
英特爾1Q11在SSD的銷售比重明顯的提高，使得其ASP及季位元出貨量均較上一季增加，故其1Q11季營收成長約18.3% QoQ，成為3億5千5百萬美元，1Q11市佔率成為6.6%，1Q11IM Flash陣營已領先業界推出25nm 64Gb TLC及25nm SSD的產品來強化其成本競爭力，隨著IM Flash的新加坡合資新廠自1H11開始投產，未來英特爾也將獲得約20%以下的新產能，2H11英特爾也將會開始生產20nm 新製程技術的產品及持續提高其系統產品客戶的銷售比重。
依1Q11 NAND Flash品牌廠商季營收排行來看，三星(Samsung)營收為19億4千1百萬美元，市佔率為36.2%，仍維持第一；東芝(Toshiba)營收為18億8千3百萬美元，以市佔率35.1%仍排名第二；美光(Micron)為第三名，營收為6億1千萬美元，市佔率為11.4%；海力士(Hynix)為第四名，營收5億7千4百萬美元，市佔率為10.7%；英特爾(Intel)列名第五，營收為3億5千5百萬美元，市佔率為6.6%。
1Q11品牌NAND Flash供應商營運分析
三星電子
1Q11三星受惠於來自某些智慧型手機及平板電腦等系統產品客戶的需求暢旺，因此得以彌補在記憶卡& UFD零售通路市場的疲弱需求，故1Q11季位元出貨量得以成長約20% QoQ以上，ASP則約下跌約10% QoQ，再加上受韓圜小幅升值的影響，因此1Q11的季營收成長約8.8% QoQ成為19億4千1百萬美元，1Q11市佔率成為36.2%，三星預期2Q11來自系統客戶的OEM訂單仍將穩健，但來自記憶卡& UFD通路市場客戶的需求仍將疲弱，故其2Q11的位元出貨量將可望成長約30% QoQ以上，但因2Q11 市場多空變數較多故其仍在觀察後續的價格走勢變化，2011年三星將會以持續提高27nm製程產品的產出比重及於2H11轉進21nm新製程技術來強化其成本競爭力，並開發新的嵌入式(embedded)產品及SSD等來提高其來自系統產品客戶的銷售比重。
東芝電子
東芝受12月初發生跳電意外的影響，使得其1-2月的產出量也因之減少，同時來自某些智慧型手機及平板電腦系統客戶的OEM訂單及記憶卡策略夥伴的需求仍佳，使得價格呈現小幅下跌及位元出貨量穩定增加的狀況，因此1Q11季營收小漲約8% QoQ成為18億8千3百萬美元，1Q11市佔率成為35.1%。2011年東芝也將持續地提升24nm新製程技術的產出比重及於2H11轉進19nm新製程技術來強化其成本競爭力，與晟碟(SanDisk)合資的300mm Fab5新廠也預計在2H11開始量產，東芝也將獲得約一半的新產能，同時也將會開發嵌入式產品及SSD來持續提高系統產品客戶的銷售比重，以因應新興智能移動裝置的成長需求。
美光科技
上季美光受惠於來自某些系統客戶OEM訂單，自有Lexar零售通路及合併Numonyx後所帶來的嵌入式產品新客戶等助力下，季位元出貨量成長約20%QoQ以上，但在部份產品ASP下跌的影響下，使得上季營收成長約12.1% QoQ成為6億1千萬美元，上季的市佔率為11.4%，由於1Q11時主力製程技術多已轉為25nm，故美光預估其下一季的位元產出量約成長10% QoQ，在看好系統產品客戶穩定需求及考量日本地震後可能帶來的供給變數下，美光預期其下一季的ASP可望能有微幅的上漲，另外美光與英特爾合資的300mm新加坡新廠的月產量將可望在2011年底前逐漸增加到6萬片，2011年美光也將進一步提升來自新興智能移動裝置的嵌入式產品及SSD的銷售比重。
海力士半導體
1Q11海力士在提高來自系統產品客戶的銷售比重以來降低記憶卡&UFD通路市場疲弱需求的努力下，因此1Q11 位元出貨量增加約15% QoQ，但ASP則與上季維持持平的狀況，故1Q11季營收成長約12.5% QoQ成為5億7千4百萬美元，1Q11的市佔率成為10.7%，2Q11海力士在看好來自某些智能手機及平板電腦等系統客戶的OEM訂單依然穩健 故預期其2Q11的位元出貨量將成長約30% QoQ以上， 同時在考量日本地震後可能帶來的供給緊缺因素將有助於減緩記憶卡&UFD通路市場淡季效應下，海力士預期其2Q11 ASP將小幅下跌約5%QoQ，2011年海力士將會持續提高26nm新製程技術的產出比重及於2H11轉進20nm的新製程技術來強化其成本競爭力，同時也會開發嵌入式產品及SSD新產品以持續提高系統產品客戶的銷售比重。
英特爾
英特爾1Q11在SSD的銷售比重明顯的提高，使得其ASP及季位元出貨量均較上一季增加，故其1Q11季營收成長約18.3% QoQ，成為3億5千5百萬美元，1Q11市佔率成為6.6%，1Q11IM Flash陣營已領先業界推出25nm 64Gb TLC及25nm SSD的產品來強化其成本競爭力，隨著IM Flash的新加坡合資新廠自1H11開始投產，未來英特爾也將獲得約20%以下的新產能，2H11英特爾也將會開始生產20nm 新製程技術的產品及持續提高其系統產品客戶的銷售比重。
