Ramtron第一批以IBM新生產線製造的F-RAM晶片樣品開始出貨
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2011-06-21 00:00
前言:
世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈,開始提供以IBM公司新生產線上製造的首批先期驗證(pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品。FM24C04C和FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5V F-RAM產品,這些器件可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay™)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
Ramtron公司執行長 Eric Balzer表示:「FM24C04C和FM24C16C晶片樣品的發表是Ramtron新代工服務專案中的一項重要里程碑。這些先期驗證晶片符合資料表上的所有規格和公司嚴格品質標準的要求,現在這批樣品可以提供給客戶進行產品評估。在測試完成後,我們將會提供其它晶片樣品,包括3V的I2C和3V及5V的SPI產品。」
FM24C04C和FM24C16C採用串列I2C介面,工作電流為100µA(100kHz時的典型值),匯流排運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和運算應用及其它領域,可直接當作4和16千位元串列EEPROM記憶體的替代產品。FM24C04C和FM24C16C均採用工業標準的8腳SOIC封裝,工業工作溫度範圍為-40°C至+85°C。
Ramtron公司FM24CxxC產品的單位元組(single-byte)寫入速度比EEPROM快200倍。此外,與之前記錄新資料需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件相比,這些器件具有無延遲特性,能夠以標準匯流排速度寫入。FM24C04C和FM24C16C的寫入週期為1兆(trillion)個,而EEPROM的則只有100萬個。與同類的非揮發性記憶體產品相比,它們具有極低的工作電流。
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關於IBM/Ramtron代工合作關係
2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務協議,IBM在其位於美國佛蒙特州Burlington的先進晶圓生產設施中部署了Ramtron的F-RAM半導體製程技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆疊已經加入到IBM的 0.18微米CMOS製程中,用於生產Ramtron的標誌性高性能非揮發性F-RAM產品。IBM擁有世界級代工服務,為Ramtron現有產品及新產品開發計畫提供了具有成本效益的靈活的製造平臺。
關於Ramtron公司和F-RAM技術
Ramtron International 總部設在美國科羅拉多州Colorado Springs市,是專門設計、開發和銷售專用半導體記憶體和整合式半導體解決方案的無晶圓廠半導體公司,產品廣泛用於各種應用和全球市場。
Ramtron是在半導體產品中採用鐵電材料的先驅企業,開發了新類型非揮發性記憶體,稱作鐵電隨機存取記憶體即F-RAM。Ramtron的鐵電記憶體結合了動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的高速度和非揮發性資料儲存特性,即無電儲存資料的能力。自從這項技術商業化以來,Ramtron已經在嚴苛的應用領域銷售了數億個F-RAM器件,包括汽車安全和娛樂系統、可攜式醫療設備、工業程序控制系統、智慧電錶和消費印表機墨水匣。F-RAM技術是市場上功效最高的非揮發性記憶體技術,有望為超高效電池供電產品和能量收集應用的開發鋪平道路。要瞭解更多的資訊,請瀏覽公司網站www.ramtron.com。