根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，全球DRAM產業於第三季度營收總計為約65.66億美元，由於總體經濟持續疲弱、供過於求情況加劇，導致第三季DDR3 2Gb合約價均價下跌35%，第三季總營收與上季相較大幅衰退19.4%，除了三星半導體外，其餘記憶體廠商皆繳出赤字財報，DRAM產業正式邁入另一波市場黑暗期。
從供給面來看，部份DRAM廠由於第三季顆粒價格跌破現金成本而陸續宣佈減產，故第三季整體顆粒產出量較上季僅有約5%成長，不若往年於第三季10%以上的成長率。但一線DRAM廠仍積極轉進30nm/40nm製程，如兩家韓大廠30nm的比重已經達到產業總產出的21%，爾必達亦在子公司瑞晶的加持下預計在明年上半年福增加30nm產出，然而，其餘台系廠商製程仍以40nm/50nm製程為主軸，與韓系DRAM廠至少相差1.5個世代以上，若衡量目前低迷的市況，短期之內DRAM廠轉虧為盈的機率相當渺茫。
而在需求面方面，由於總體經濟疲弱造成歐美區域消費信心不足，往年在第三季的10%需求位元成長已不復見，本季較上季相比僅有7.6%的需求成長，且PC主要成長的動能仍來自於中國及其他開發中國家。再者，第三季整體PC單機記憶體搭載量未見顯著提升，目前NB(不含Netbook)於第三季的DRAM單機搭載量僅達到3.5GB，季成長1.1%小幅提升。所幸受惠於九月份PC-OEM為了旺季所做的備貨效應，DRAM庫存水位已有大幅度的消化，就連現貨市場於九月上旬也短暫出現跌勢的終止，對於DRAM顆粒庫存的消化有明顯挹注，亦始十月份的合約價除4GB出現小幅下跌2.33%外，其餘皆維持持平報價，但泰國洪災所導致的HDD缺貨是否影響PC最終出貨，將牽動第四季後續DRAM價格走勢。
全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名
從全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名分析，韓系廠仍盤踞前兩名，以三星而言，第三季DRAM營收較上季衰退12.8%，衰退幅度小於同業下，市占率反增3.4%，達到44.5%，第三季DRAM平均銷售單價(Average Selling Price)較上季相較下降了約15%，受惠於35nm產出比重超過30%及積極轉進伺服器記憶體與行動式記憶體，第三季位元成長率仍有7%的成長，營業利益達20%以上，算是繳出亮眼的獲利成績。
海力士半導體方面，DRAM營收較上季衰退23.9%，整體市占則微幅下滑至21.6%，由於第三季DRAM價格跌幅過劇，讓九季連續獲利的海力士首度繳出赤字財報，DRAM的營業利益呈現負25%。展望第四季，由於38nm製程良率穩定，目前正積極提高投片比例，於第四季末預計可占總產出的40%左右，加上成本持續降低，海力士半導體的營業利益預計將獲得改善。
日商爾必達由於在現貨市場的出貨比例較高，受到現貨價格影響最為顯著，加上第三季DDR3 2Gb現貨顆粒價跌幅達37%，爾必達自八月份起就已大幅減少力晶的採購量，PC DRAM產出僅仰賴子公司瑞晶生產，整體品牌顆粒產出量較上季減少4%，總計第三季營收僅達8.25億美金，較上季衰退29.7%，第三季市佔率約在12.6%。
美光方面，法說公布第三季位元成長為22%，但由於記憶體價格於該季跌幅達超過28%，導致營收較上季衰退11.9%，市占在11.8%，財報亦從獲利轉為虧損。在製程轉進方面，第三季末42nm製程占產出比來到50%，年底可望達到70%。然而，由於42nm製程顆粒仍屬虧損的成本結構，美光若冀望由虧轉盈，必須致力於30nm的轉進，否則與韓系廠約一個世代以上的差距將會嚴重影響後續獲利表現。
台系DRAM廠方面，南科由於製程技術落後大廠一個世代以上，且產出比重多集中在PC-DRAM，受到第三季DRAM價格大幅下跌影響，營收僅2.43億美元，季衰退達36.9%，市佔率由第二季的4.7%降至3.7%。若DRAM價格持續下探，營收進一步衰減的可能性仍高；在37nm製程轉進上，目前於廠內小量試產當中，預計明年上半年量產。華邦方面，受惠於完全退出標準型記憶體市場、僅專注於毛利高的利基型記憶體產出，受到DRAM跌價的影響較小，唯第三季仍因市況不佳，所以營收與上季相較有12.2%衰退，市佔2.2%，行動式記憶體佔營收大幅衰退為其主因，由上季占總營收的25%到第三季的16%。茂德而言，仍因為財務問題而導致購買原料的現金不足，投片量維持每月約10K的低檔，營收持續下滑，市佔已經正式跌破1%。
DRAM產業自有品牌各區域市占率
以各區域市占率的版圖來分析，韓系廠商主要受惠於三星的強勁成長，合計市占率高達67.9%，持續增加趨勢不變；美系DRAM廠的營收市占小幅成長到12.1%，其餘日系與台系廠商的營收皆呈現下滑態勢，各為12.9%以及7.1%，某部分台系廠商正陸續退出DRAM產能，所以台系廠的市佔衰退尤其明顯；整體而言，韓國廠商占整體營收市占的比例持續擴大，大者恆大的態勢確立。
從供給面來看，部份DRAM廠由於第三季顆粒價格跌破現金成本而陸續宣佈減產，故第三季整體顆粒產出量較上季僅有約5%成長，不若往年於第三季10%以上的成長率。但一線DRAM廠仍積極轉進30nm/40nm製程，如兩家韓大廠30nm的比重已經達到產業總產出的21%，爾必達亦在子公司瑞晶的加持下預計在明年上半年福增加30nm產出，然而，其餘台系廠商製程仍以40nm/50nm製程為主軸，與韓系DRAM廠至少相差1.5個世代以上，若衡量目前低迷的市況，短期之內DRAM廠轉虧為盈的機率相當渺茫。
而在需求面方面，由於總體經濟疲弱造成歐美區域消費信心不足，往年在第三季的10%需求位元成長已不復見，本季較上季相比僅有7.6%的需求成長，且PC主要成長的動能仍來自於中國及其他開發中國家。再者，第三季整體PC單機記憶體搭載量未見顯著提升，目前NB(不含Netbook)於第三季的DRAM單機搭載量僅達到3.5GB，季成長1.1%小幅提升。所幸受惠於九月份PC-OEM為了旺季所做的備貨效應，DRAM庫存水位已有大幅度的消化，就連現貨市場於九月上旬也短暫出現跌勢的終止，對於DRAM顆粒庫存的消化有明顯挹注，亦始十月份的合約價除4GB出現小幅下跌2.33%外，其餘皆維持持平報價，但泰國洪災所導致的HDD缺貨是否影響PC最終出貨，將牽動第四季後續DRAM價格走勢。
全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名
從全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名分析，韓系廠仍盤踞前兩名，以三星而言，第三季DRAM營收較上季衰退12.8%，衰退幅度小於同業下，市占率反增3.4%，達到44.5%，第三季DRAM平均銷售單價(Average Selling Price)較上季相較下降了約15%，受惠於35nm產出比重超過30%及積極轉進伺服器記憶體與行動式記憶體，第三季位元成長率仍有7%的成長，營業利益達20%以上，算是繳出亮眼的獲利成績。
海力士半導體方面，DRAM營收較上季衰退23.9%，整體市占則微幅下滑至21.6%，由於第三季DRAM價格跌幅過劇，讓九季連續獲利的海力士首度繳出赤字財報，DRAM的營業利益呈現負25%。展望第四季，由於38nm製程良率穩定，目前正積極提高投片比例，於第四季末預計可占總產出的40%左右，加上成本持續降低，海力士半導體的營業利益預計將獲得改善。
日商爾必達由於在現貨市場的出貨比例較高，受到現貨價格影響最為顯著，加上第三季DDR3 2Gb現貨顆粒價跌幅達37%，爾必達自八月份起就已大幅減少力晶的採購量，PC DRAM產出僅仰賴子公司瑞晶生產，整體品牌顆粒產出量較上季減少4%，總計第三季營收僅達8.25億美金，較上季衰退29.7%，第三季市佔率約在12.6%。
美光方面，法說公布第三季位元成長為22%，但由於記憶體價格於該季跌幅達超過28%，導致營收較上季衰退11.9%，市占在11.8%，財報亦從獲利轉為虧損。在製程轉進方面，第三季末42nm製程占產出比來到50%，年底可望達到70%。然而，由於42nm製程顆粒仍屬虧損的成本結構，美光若冀望由虧轉盈，必須致力於30nm的轉進，否則與韓系廠約一個世代以上的差距將會嚴重影響後續獲利表現。
台系DRAM廠方面，南科由於製程技術落後大廠一個世代以上，且產出比重多集中在PC-DRAM，受到第三季DRAM價格大幅下跌影響，營收僅2.43億美元，季衰退達36.9%，市佔率由第二季的4.7%降至3.7%。若DRAM價格持續下探，營收進一步衰減的可能性仍高；在37nm製程轉進上，目前於廠內小量試產當中，預計明年上半年量產。華邦方面，受惠於完全退出標準型記憶體市場、僅專注於毛利高的利基型記憶體產出，受到DRAM跌價的影響較小，唯第三季仍因市況不佳，所以營收與上季相較有12.2%衰退，市佔2.2%，行動式記憶體佔營收大幅衰退為其主因，由上季占總營收的25%到第三季的16%。茂德而言，仍因為財務問題而導致購買原料的現金不足，投片量維持每月約10K的低檔，營收持續下滑，市佔已經正式跌破1%。
DRAM產業自有品牌各區域市占率
以各區域市占率的版圖來分析，韓系廠商主要受惠於三星的強勁成長，合計市占率高達67.9%，持續增加趨勢不變；美系DRAM廠的營收市占小幅成長到12.1%，其餘日系與台系廠商的營收皆呈現下滑態勢，各為12.9%以及7.1%，某部分台系廠商正陸續退出DRAM產能，所以台系廠的市佔衰退尤其明顯；整體而言，韓國廠商占整體營收市占的比例持續擴大，大者恆大的態勢確立。
