英飛淩推出第三代SiC蕭特基二極體
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2009-02-17 00:00
前言:
全球領先功率半導體暨碳化矽(SiC)蕭特基二極體供應商英飛凌科技在美國華盛頓特區舉辦之應用電力電子研討會暨展覽會(APEC)上宣佈推出第三代 thinQ!™ SiC 蕭特基二極體。全新的 thinQ! 二極體擁有業界最低的裝置電容,適用於所有電流額定值,在更高的切換頻率以及輕負載的情況下,更能提升整體系統效率,有助於降低整體電源轉換的系統成本。此外,英飛淩第三代產品提供業界最豐富的 SiC 蕭特基二極體產品組合,不但有包含 TO-220 封裝(真正的 2-pin 版本),亦有適用於高功率密度表面黏著設計的 DPAK 封裝。
SiC 蕭特基二極體的主要應用層面是切換式電源供應器 (SMPS) 的主動功率因素控制(CCM PFC) 及其他 AC/DC 和 DC/DC 電源轉換應用,例如太陽能逆變器和馬達驅動。
相較於第二代,英飛淩全新的 SiC 蕭基二極體裝置電容降低了 40%,因而減少了切換損失,例如在 250 kHz 之下操作的 1 kW PFC 階段,於 20% 的負載情況下,整體效率將提升 0.4%。 更高的切換頻率代表可以使用更小、成本更低的被動元件,例如誘導器和電容器,促成功率密度更高的設計。 電源損失減少,同時也降低了散熱需求,所需的散熱器和風扇體積、數量均相應減少,讓系統成本更低,穩定性更高。 英飛淩預計在某些 SMPS 應用中,系統成本可減少高達 20%。
英飛淩工業及多元電子事業處 HV MOS 業務部經理 Jan-Willem Reynaerts 表示:「英飛淩在 2001 年便推出第一項SiC 蕭特基二極體產品,是全世界第一家 SiC 蕭特基二極體供應商。在過去 8 年中,英飛淩針對其 SiC 蕭特基二極體技術做出多項重要改良,包括突波電流穩定性、切換效能以及產品成本,將 SiC 技術的優點擴大到更多應用層面,並提供比以往價格更具吸引力的方案。SiC 確實是種創新的技術,有助於挽救全球氣候暖化的趨勢,而且可驅動新興市場,例如太陽能和高效率照明系統。 這項技術無疑加強了英飛淩在電源管理市場的領導地位,也展現專注其市場的用心。」
上市時間、封裝和價格
英飛淩第三代 thinQ! SiC 蕭特基二極體提供 600 伏特(3、4、5、6、8、9、10 和 12 A),可選擇 TO-220 或 DPAK 封裝,以及 1200 伏特(2、5、8、10 和 15 A)以 TO-220 封裝的產品。 從 2009 年 1 月開始提供樣品給客戶,並預計在 2009 年早春量產。阻隔電壓 600 伏特(3A)的第三代 SiC 蕭特基二極體,以「萬」件為批價單位的定價為 0.61 歐元(0.85 美元)。 4 A 版本的單位定價是 0.85 歐元(1.19 美元),8 A 版本的單位定價是 1.89 歐元(2.65 美元)。
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