宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。
EPC2001 FET是一種100 VDS元件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，閘極電壓為5V。EPC2015是一種40 VDS元件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的矽基功率MOSFET相比，這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優勢。兩種元件都具有低導通電阻，體積比相同電阻的矽元件更小，並且具有卓越許多倍的開關性能。
受益於eGaN FET性能提高的應用包括直流－直流電源、負載點轉換器、D類音效放大器、筆記型電腦和上網機、LED驅動電路和電信基地台。
“環境保護是宜普公司發展業務的首要考慮因素，也是我們提供無鉛、符合RoHS要求的eGaN FET的推動力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET，我們計畫在今後4個月內讓全部eGaN FET無鉛化，並符合RoHS要求。”宜普公司合夥創始人、首席執行官Alex Lidow表示。
詳情請參考介紹這些下一代元件性能改進的應用筆記：
http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/Product-Training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
一千片批量時，EPC2001的單價是2.80美元， 而EPC2015的單價是2.48美元。兩種產品都可通過Digi-Key公司立即供貨，網址為：http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商。宜普公司首家推出的矽基增強型氮化鎵(eGaNTM) FET可作為功率MOSFET的替代品，目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、蜂窩手機、基地台、微型逆變器和D類音效放大器，元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。
EPC2001 FET是一種100 VDS元件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，閘極電壓為5V。EPC2015是一種40 VDS元件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的矽基功率MOSFET相比，這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優勢。兩種元件都具有低導通電阻，體積比相同電阻的矽元件更小，並且具有卓越許多倍的開關性能。
受益於eGaN FET性能提高的應用包括直流－直流電源、負載點轉換器、D類音效放大器、筆記型電腦和上網機、LED驅動電路和電信基地台。
“環境保護是宜普公司發展業務的首要考慮因素，也是我們提供無鉛、符合RoHS要求的eGaN FET的推動力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET，我們計畫在今後4個月內讓全部eGaN FET無鉛化，並符合RoHS要求。”宜普公司合夥創始人、首席執行官Alex Lidow表示。
詳情請參考介紹這些下一代元件性能改進的應用筆記：
http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/Product-Training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
一千片批量時，EPC2001的單價是2.80美元， 而EPC2015的單價是2.48美元。兩種產品都可通過Digi-Key公司立即供貨，網址為：http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商。宜普公司首家推出的矽基增強型氮化鎵(eGaNTM) FET可作為功率MOSFET的替代品，目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、蜂窩手機、基地台、微型逆變器和D類音效放大器，元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。
