英飛凌秉持「提升能源效率」(Energy – the efficient way) 的精神，於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2011 展覽（5 月 17 至 19 日）中展示一系列的創新產品及解決方案， 可確保大幅減少電子裝置和機械的能源消耗。
國際能源總署 (IEA) 預計全球未來 20 年內的能源消耗量將增加 35% 。全球使用的能源大約有 1/3 是以電力的形式消耗。電力需要長距離傳輸，過程中通常產生許多耗損。透過智慧部署的功率半導體，能將發電、配電及轉換過程中的能源耗損降至最低。這些節能晶片也能大幅提升電子裝置和機械的能源效率，確保最佳的節能效果。由於世界人口持續增加，讓節約能源的重要性逐漸上升：而這正是規模最大的可用資源之一。英飛凌身為領先全球的功率半導體供應商，推出 IGBT（絕緣閘雙極電晶體）、CoolMOS™、OptiMOS™ 和 SiC 等產品，為減少全球能源消耗做出重大貢獻。英飛凌的節能晶片可應用於所有類型的電子裝置，例如電視、電腦、電源供應裝置、遊戲主機、伺服器、馬達以及機械。
英飛凌電源管理與供應及離散式元件部門副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「使用英飛凌的節能半導體解決方案，可節省多達 25% 的全球耗電量。我們的產品大幅超越全球能源效率標準，因此更可以讓客戶獲得顯著的競爭優勢。」
英飛凌在 PCIM Europe 2011 展覽所展示的電源管理產品及解決方案重點如下：
新型高速 RC-Drive (逆向導通) IGBT 利用高切換頻率實現高達 96% 的效率，同時縮小變頻器尺寸並降低成本
英飛凌新推出逆向導通 (RC) 600V IGBT 產品系列，新增兩款新型的開關功率裝置，可在目標應用上實現高達 96% 的效率。 新型的高速 RC-Drives裝置適用於採用電動馬達驅動的節能消費性產品，由於採用了體積較小的元件，因此整體成本低於其他系統。
更多詳情敬請瀏覽：www.infineon.com/rcdf
英飛凌領先業界的新型 650V CoolMOS™ CFD2 技術，搭載整合式快速回復特性的等效二極體，讓伺服器、太陽能、電信 SMPS 和照明等應用之能源效率邁入全新境界
英飛凌以創新技術推出最新一代高壓 CoolMOS™ MOSFET，為能源效率設下全新標準。英飛凌展示最新 650V CoolMOS™ CFD2，這是業界首見具備 650V 漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。新型 CFD2 裝置延續之前的 600V CFD 產品的優點，不僅提升能源效率，也具備更為出色的軟性換流特性，因此能減少電磁干擾（EMI），提供產品明確的競爭優勢。
更多詳情敬請瀏覽：www.infineon.com/cfd2
英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備
英飛凌擴大旗下的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 產品組合， 推出 60V 至 150V 之CanPAK™ 封裝產品，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感。OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及 Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。
更多詳情敬請瀏覽：www.infineon.com/canpak
SiC 蕭特基二極體 thinQ!™ - 採用符合 1200V 的 TO 封裝，實現高效率
隨著時間的進展，英飛凌第二代 SiC Schottky 二極體已演繹成為業界標準。英飛凌推出 1200V 二極體，採 TO-247HC（高沿面）封裝，讓原本就已豐富的產品組合更為多元。
新的封裝配置完全相容於TO-247 業界標準，因此可輕鬆置於現有設計，不需要額外費心處理。由於沿面距離增加，因此可提升安全餘裕，避免短路風險，特別是可能因為系統內部出現塵土而造成的電弧。這樣在避免封裝導線之間的任何污染時，可以減少使用額外化學（矽凝膠或乳劑）或機械解決方案（護層或錫箔）的需求，並享有精簡快速製程的所有優點。SiC 蕭特基二極體 thinQ™ 產品組合的目標應用包括太陽能、UPS、SMPS 或馬達驅動裝置，完全滿足客戶在提升能源效率及功率密度方面日漸增加的需求。
更多詳情敬請瀏覽：http://www.infineon.com/cms/en/product/discretes-and-standard-products/diodes/silicon-carbide-schottky-diodes/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab6a50b304a0
新型 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列小型訊號 MOSFET
英飛凌優異的小型訊號 MOSFET通過車用規格認證 (AEC Q101)，廣受業界青睞。新推出 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列。這些 60 mOhm 的邏輯位準裝置，在特定尺寸中具備同類產品最佳的 RDSon，並擁有低 Qg，可於低負載時提升效率。產品採用常見的 SOT89、TSOP6 和 SC59 封裝，特別適合需要節省空間及低耗電的應用。產品的目標應用包括：作為低耗電DC / DC轉換器的外部 FET，在適用於電動車、油電混合車及插電式油電混合車的電池能源控制模組 (BECM) 中進行平衡，以及作為多種微控制器的外部 FET。
更多詳情敬請瀏覽：http://www.infineon.com/cms/en/product/discretes-and-standard-products/mosfets/power-mosfets/n-channel-small-signal-mosfets-%2820v...800v%29/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab6a590004ba
國際能源總署 (IEA) 預計全球未來 20 年內的能源消耗量將增加 35% 。全球使用的能源大約有 1/3 是以電力的形式消耗。電力需要長距離傳輸，過程中通常產生許多耗損。透過智慧部署的功率半導體，能將發電、配電及轉換過程中的能源耗損降至最低。這些節能晶片也能大幅提升電子裝置和機械的能源效率，確保最佳的節能效果。由於世界人口持續增加，讓節約能源的重要性逐漸上升：而這正是規模最大的可用資源之一。英飛凌身為領先全球的功率半導體供應商，推出 IGBT（絕緣閘雙極電晶體）、CoolMOS™、OptiMOS™ 和 SiC 等產品，為減少全球能源消耗做出重大貢獻。英飛凌的節能晶片可應用於所有類型的電子裝置，例如電視、電腦、電源供應裝置、遊戲主機、伺服器、馬達以及機械。
英飛凌電源管理與供應及離散式元件部門副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「使用英飛凌的節能半導體解決方案，可節省多達 25% 的全球耗電量。我們的產品大幅超越全球能源效率標準，因此更可以讓客戶獲得顯著的競爭優勢。」
英飛凌在 PCIM Europe 2011 展覽所展示的電源管理產品及解決方案重點如下：
新型高速 RC-Drive (逆向導通) IGBT 利用高切換頻率實現高達 96% 的效率，同時縮小變頻器尺寸並降低成本
英飛凌新推出逆向導通 (RC) 600V IGBT 產品系列，新增兩款新型的開關功率裝置，可在目標應用上實現高達 96% 的效率。 新型的高速 RC-Drives裝置適用於採用電動馬達驅動的節能消費性產品，由於採用了體積較小的元件，因此整體成本低於其他系統。
更多詳情敬請瀏覽：www.infineon.com/rcdf
英飛凌領先業界的新型 650V CoolMOS™ CFD2 技術，搭載整合式快速回復特性的等效二極體，讓伺服器、太陽能、電信 SMPS 和照明等應用之能源效率邁入全新境界
英飛凌以創新技術推出最新一代高壓 CoolMOS™ MOSFET，為能源效率設下全新標準。英飛凌展示最新 650V CoolMOS™ CFD2，這是業界首見具備 650V 漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。新型 CFD2 裝置延續之前的 600V CFD 產品的優點，不僅提升能源效率，也具備更為出色的軟性換流特性，因此能減少電磁干擾（EMI），提供產品明確的競爭優勢。
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英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備
英飛凌擴大旗下的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 產品組合， 推出 60V 至 150V 之CanPAK™ 封裝產品，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感。OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及 Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。
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SiC 蕭特基二極體 thinQ!™ - 採用符合 1200V 的 TO 封裝，實現高效率
隨著時間的進展，英飛凌第二代 SiC Schottky 二極體已演繹成為業界標準。英飛凌推出 1200V 二極體，採 TO-247HC（高沿面）封裝，讓原本就已豐富的產品組合更為多元。
新的封裝配置完全相容於TO-247 業界標準，因此可輕鬆置於現有設計，不需要額外費心處理。由於沿面距離增加，因此可提升安全餘裕，避免短路風險，特別是可能因為系統內部出現塵土而造成的電弧。這樣在避免封裝導線之間的任何污染時，可以減少使用額外化學（矽凝膠或乳劑）或機械解決方案（護層或錫箔）的需求，並享有精簡快速製程的所有優點。SiC 蕭特基二極體 thinQ™ 產品組合的目標應用包括太陽能、UPS、SMPS 或馬達驅動裝置，完全滿足客戶在提升能源效率及功率密度方面日漸增加的需求。
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新型 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列小型訊號 MOSFET
英飛凌優異的小型訊號 MOSFET通過車用規格認證 (AEC Q101)，廣受業界青睞。新推出 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列。這些 60 mOhm 的邏輯位準裝置，在特定尺寸中具備同類產品最佳的 RDSon，並擁有低 Qg，可於低負載時提升效率。產品採用常見的 SOT89、TSOP6 和 SC59 封裝，特別適合需要節省空間及低耗電的應用。產品的目標應用包括：作為低耗電DC / DC轉換器的外部 FET，在適用於電動車、油電混合車及插電式油電混合車的電池能源控制模組 (BECM) 中進行平衡，以及作為多種微控制器的外部 FET。
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