LED照明技術及解決方案研發與製造領導廠商Bridgelux公司(普瑞光電)刷新自己創下在業界「氮化鎵上矽」技術（GaN-on-Si）最高每瓦流明紀錄。該公司利用獨家緩衝層技術，成功在8吋矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層，並且不會在室溫下彎曲變形，進一步擴大該公司提升矽基板氮化鎵LED效能與可製造性的領先幅度。
Bridgelux公司證明其LED效能足以媲美現今的頂尖藍寶石基板LED。冷白光LED的效能高達160 Lm/W，其相對色溫CCT為4350K。以氮化鎵上矽晶圓製作的暖白光LED可提供125 Lm/W的效能，色溫為2940K，演色性指數（CRT）則是80。
傳統LED是以藍寶石或碳化矽基板作為原料，兩者都比矽基板昂貴許多。因此，製作成本導致LED照明產品無法普及到住宅與商業建築。然而在直徑更大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵，並採用與現代半導體生產線相容的製程，其成本會比現有製程減少75%。Bridgelux的技術發展具備大幅降低LED製造成本的潛力，使其得以與傳統白光照明技術競爭。
「我們今天所公布的效能等級是目前氮化鎵上矽技術迄今最高的Lm/W值，足以媲美最佳商品化等級的藍寶石或碳化矽（SiC）生成LED。」Bridgelux技術長Steve Lester博士表示：「我們投資打造一個匯集Bridgelux材料科學家與晶片設計工程師的世界級團隊，並且極力鑽研領先業界的磊晶技術，而這些成就便是我們的努力成果。我們對於這個領域的進展感到非常滿意，並且將繼續積極發展我們的氮化鎵上矽製程，驅動LED商品從藍寶石基板轉換為矽基板。我們預計在兩年內向市場推出首批商業氮化鎵上矽產品。」
氮化鎵的熱膨脹係數遠大過矽。這種不協調的狀況可能會在晶膜成長時或室溫下導致磊晶膜破裂或晶圓彎曲變形。Bridgelux的獨家緩衝層技術可產出在室溫狀態依然平滑的無裂痕晶圓。
採用350mA電流的1.5mm封裝藍光LED可發出591微瓦的亮度，其插座效率高達59%，超越所有已公布數值。此種LED擁有極低的運作電壓，350mA電流的電壓只有2.85伏特，因此非常適用於高電流密度環境。在1安培電流下，這些LED的藍光亮度為1.52瓦，運作電壓是3.21伏特，其插座效率為47%。波長中值為455nm的8吋LED晶圓已經具備sigma 6.8nm的波長均勻度。
「這項技術性突破成就源自Bridgelux持續投資研發並且專注固態照明市場的需求。」Bridgelux執行長Bill Watkins表示：「這項關鍵技術足以改變整個產業，可大幅減少固態照明產品的初期投入資金，並且因此大幅提昇市場接受速度。」採用輕資產營運模式的Bridgelux將從矽基板的轉換取得獨特優勢。該公司可利用自身LED磊晶研發與智慧財產權優勢，與半導體製造商洽談結盟。透過與知名半導體製造商的合作，進一步利用舊有半導體晶圓廠，對製造成本、利潤與資本報酬率造成正面影響。
