快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N通道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器 (plasma display panel ，PDP) 應用提供業界領先的系統效率和最佳化的占位空間。與市場上同類型元件比較，這些採用快捷半導體專利PowerTrench® 製程技術的MOSFET，可提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐姆；FDB2710的典型值為36.3 毫歐姆)。超低的RDS(on)加上極低的柵極電荷 (Qg)，使得該元件具有同級產品中最佳的特性值 (Figure of Merit，FOM)，因而可以在PDP系統中獲得更低的傳導損耗和出色的開關性能。
該元件極低的導通阻抗配合超小型的晶片尺寸，再加上200V 或 250V的擊穿電壓，讓它可以封裝在占位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一項優勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關的瞬態回應，有助於提高系統的可靠性。
快捷半導體功能性功率產品部副總裁Taehoon Kim 表示：“快捷半導體的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有領先的FOM及採用緊湊的D2PAK封裝，非常適用於PDP應用中的路徑開關。這些器件經過量身訂做，可為纖巧的PDP電路板設計提供高電流處理能力和節省占位空間的封裝。快捷半導體這項產品的推出再次彰顯了其決心和能力，可以為客戶解決最緊迫的應用問題。”
FDB2614 和 FDB2710的主要功能和優勢包括：
最低導通阻抗RDS(on)及低柵極電荷，具備同級產品最佳的FOM (RDS(on)x Qg)，能夠提高系統效率；
與具有類似RDS(on)的更大型TO-3P封裝平面MOSFET比較，D2PAK (TO-263) 封裝能夠增加板卡空間；
高dv/dt 和 di/dt處理能力，可增強系統可靠性。
FDB2614和FDB2710均為無鉛器件，能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。
該元件極低的導通阻抗配合超小型的晶片尺寸，再加上200V 或 250V的擊穿電壓，讓它可以封裝在占位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一項優勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關的瞬態回應，有助於提高系統的可靠性。
快捷半導體功能性功率產品部副總裁Taehoon Kim 表示：“快捷半導體的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有領先的FOM及採用緊湊的D2PAK封裝，非常適用於PDP應用中的路徑開關。這些器件經過量身訂做，可為纖巧的PDP電路板設計提供高電流處理能力和節省占位空間的封裝。快捷半導體這項產品的推出再次彰顯了其決心和能力，可以為客戶解決最緊迫的應用問題。”
FDB2614 和 FDB2710的主要功能和優勢包括：
最低導通阻抗RDS(on)及低柵極電荷，具備同級產品最佳的FOM (RDS(on)x Qg)，能夠提高系統效率；
與具有類似RDS(on)的更大型TO-3P封裝平面MOSFET比較，D2PAK (TO-263) 封裝能夠增加板卡空間；
高dv/dt 和 di/dt處理能力，可增強系統可靠性。
FDB2614和FDB2710均為無鉛器件，能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。
