Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，近日推出一系列微型NPN及PNP電晶體，滿足新一代電源設備中的MOSFET閘驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP電晶體是第一批採用SOT23FF封裝的雙極元件，佔位面積為2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米。它們可提供更低的飽和電壓，以及更高的電流增益保持，有助改善電路效率和降低操作溫度。
Zetex亞太區銷售副總裁李錦華表示：「我們最新的雙極電晶體能夠支援20V至100V的操作電壓，使MOSFET以更高速度和效率運行，更勝同類的CMOS IC。它們兼具抗鎖存效能，有效提升系統的整體可靠性。另外，由於元件採用SOT23FF封裝，因此可以設置於最接近MOSFET的位置，有助減少磁軌電感及振鈴效應。」
最新的20V ZXTN19020CFF及ZXTP19020CFF元件，保證能夠在7A和5A的電流下分別提供100及110的增益。假如以通用射極設置進行連接，更可以提供極高速的切換，傳播時間少於2ns，升降時間介乎10ns和20ns之間。元件的峰值電流高至15A，為專用閘驅動IC提供了極具成本效益的替代品。
在負載點DC-DC模組和緊急照明設備中，一般設有基於Royer及推拉拓樸的飽和式開關應用。Zetex最新電晶體的低飽和電壓性能，正可在這種環境中派上用場，締造效益。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN為例，在1A電流及10mA基極驅動下的飽和電壓僅為150mV，在2A電流及40mA基極驅動下為 135mV。
有關Zetex SOT23FF雙極電晶體系列的進一步資料，可瀏覽以下網址：www.zetex.com/SOT23FF。
Zetex亞太區銷售副總裁李錦華表示：「我們最新的雙極電晶體能夠支援20V至100V的操作電壓，使MOSFET以更高速度和效率運行，更勝同類的CMOS IC。它們兼具抗鎖存效能，有效提升系統的整體可靠性。另外，由於元件採用SOT23FF封裝，因此可以設置於最接近MOSFET的位置，有助減少磁軌電感及振鈴效應。」
最新的20V ZXTN19020CFF及ZXTP19020CFF元件，保證能夠在7A和5A的電流下分別提供100及110的增益。假如以通用射極設置進行連接，更可以提供極高速的切換，傳播時間少於2ns，升降時間介乎10ns和20ns之間。元件的峰值電流高至15A，為專用閘驅動IC提供了極具成本效益的替代品。
在負載點DC-DC模組和緊急照明設備中，一般設有基於Royer及推拉拓樸的飽和式開關應用。Zetex最新電晶體的低飽和電壓性能，正可在這種環境中派上用場，締造效益。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN為例，在1A電流及10mA基極驅動下的飽和電壓僅為150mV，在2A電流及40mA基極驅動下為 135mV。
有關Zetex SOT23FF雙極電晶體系列的進一步資料，可瀏覽以下網址：
