快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 通道 PowerTrench MOSFET 產品 FDD4141，為電源工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。FDD4141 具有低導通阻抗 (RDS(ON))，與目前的 MOSFET 比較能降低柵極電荷 (QG) 達 50%，可讓可攜、電腦、消費和家庭娛樂產品中的非同步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數百 kHz 應用的必備條件。儘管其他 MOSFET 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成產熱更多、效率降低。
FDD4141 採用快捷半導體專有的 PowerTrench 製程技術製造，可將負載電流更高的晶片整合在尺寸更小的封裝中。PowerTrench 技術將 N 通道 MOSFET 的特性運用在 P 通道 MOSFET 中，使到 P 通道 MOSFET 具備 N 通道 MOSFET 的性能，並表現出更低的 RDS (ON) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百 kHz 的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。
FDD4141 是快捷半導體廣泛全面的 PowerTrench MOSFET 產品組合的一部分，能夠滿足當今電子產品的電氣和熱性能要求，有助於實現能源效率目標。快捷半導體性能先進的 PowerTrench MOSFET 製程技術能夠實現非常低的密勒電荷 (QGD)、RDS(on) 和總體柵極電荷 (QG) 值，當用於同步降壓應用時，可提供出色的開關性能和熱效率。
FDD4141採用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛迴焊的要求。所有快捷半導體產品均設計滿足歐盟有害物質限用指令(RoHS) 的要求。
FDD4141 採用快捷半導體專有的 PowerTrench 製程技術製造，可將負載電流更高的晶片整合在尺寸更小的封裝中。PowerTrench 技術將 N 通道 MOSFET 的特性運用在 P 通道 MOSFET 中，使到 P 通道 MOSFET 具備 N 通道 MOSFET 的性能，並表現出更低的 RDS (ON) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百 kHz 的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。
FDD4141 是快捷半導體廣泛全面的 PowerTrench MOSFET 產品組合的一部分，能夠滿足當今電子產品的電氣和熱性能要求，有助於實現能源效率目標。快捷半導體性能先進的 PowerTrench MOSFET 製程技術能夠實現非常低的密勒電荷 (QGD)、RDS(on) 和總體柵極電荷 (QG) 值，當用於同步降壓應用時，可提供出色的開關性能和熱效率。
FDD4141採用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛迴焊的要求。所有快捷半導體產品均設計滿足歐盟有害物質限用指令(RoHS) 的要求。
