Diodes公司全面擴展功率MOSFET產品陣營，加入多款能夠在不同的消費、通訊、電腦和工業應用中發揮完善負載及切換效能的新型元件。它們涵蓋Diodes與Zetex產品系列，包括二十七款30V邏輯層級及九款20V低臨限電壓的N型、P型和互補式MOSFET，並且採用不同的業界標準封裝。
新型功率MOSFET提供SOT323、SOT23、SOT26和SO8封裝格式，各款的針腳和佔板面積均與原有元件相容，並且提供極具競爭優勢的性能與價格，有助於減少物料清單，而且無需額外成本也可改善整體性能。新元件可以在DC/DC轉換以及一般功率管理方面大派用場，為LCD電視、筆記型電腦等多樣化產品設計帶來效益。
Diodes的30V邏輯層級功率MOSFET覆蓋廣泛的導通電阻範圍，於10V VGS下在SOT23 P通道設計中可提供190mΩ ，在SO8 N通道MOSFET中則提供9mΩ。這些元件在邏輯層操作中的導通電阻為4.5V VGS，P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-1V和+1V。
新增20V低臨限MOSFET的導通電阻設定於2.5V VGS及1.8V VGS，由SOT23封裝的240mΩ 到SO8封裝的9mΩ。P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-0.6V和+0.6V。
新型功率MOSFET提供SOT323、SOT23、SOT26和SO8封裝格式，各款的針腳和佔板面積均與原有元件相容，並且提供極具競爭優勢的性能與價格，有助於減少物料清單，而且無需額外成本也可改善整體性能。新元件可以在DC/DC轉換以及一般功率管理方面大派用場，為LCD電視、筆記型電腦等多樣化產品設計帶來效益。
Diodes的30V邏輯層級功率MOSFET覆蓋廣泛的導通電阻範圍，於10V VGS下在SOT23 P通道設計中可提供190mΩ ，在SO8 N通道MOSFET中則提供9mΩ。這些元件在邏輯層操作中的導通電阻為4.5V VGS，P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-1V和+1V。
新增20V低臨限MOSFET的導通電阻設定於2.5V VGS及1.8V VGS，由SOT23封裝的240mΩ 到SO8封裝的9mΩ。P通道和N通道元件的啟動閘臨限電壓分別為-0.6V和+0.6V。
