商意法半導體推出新系列功率電晶體，可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源，減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低開關損耗。
新推出的IGBT採用意法半導體PowerMESH™製程，可節省能耗，並全面提升效率。更低的開關損耗可允許更高的作業頻率，因而可在功率控制電路中使用尺寸更小、價格更低的元件。此外，新元件在緊密的工業標準TO-247封裝內整合了大多數電路所需的超高速續流二極管（Freewheeling Diode），減少外部元件的數量。
這兩款1200V IGBT能夠承受長達10微秒的短路狀態，可抵抗常見的馬達控制器失效原因，如閘驅動訊號錯誤、接地短路以及馬達相接絕緣（phase-to-phase insulation）故障。透過提高可靠性，STGW30N120KD和STGW40N120KD減少了維修、更換次數以及售後維修服務的需求，以降低終端用戶的使用成本。
新產品系列的額定作業電壓為1200V，可用於440V或480V的交流線電壓。結合現有的600V低損耗IGBT產品線，新元件將協助意法半導體打造業界最齊全的功率電晶體產品組合。
STGW30N120KD和STGW40N120KD分別用於30A和40A馬達驅動器。這兩款產品均已量產並開始銷售。
詳情請參閱意法半導體公司網站：www.st.com/igbt
