應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充了其N通道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)元件。安森美半導體經過完備測試的N通道功率MOSFET提供高達500毫焦耳(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用於要顧慮因非鉗位電感型負載引致過度電壓應力的設計。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET元件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛元件，符合RoHS指令，關鍵的規範特性包括：
• 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
• 電流能力高達76安培(A)
• 經過100%雪崩測試
• 通過AEC-Q101標準認證
安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N通道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品系列新增的元件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最佳元件。」
封裝及價格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A元件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，採用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A元件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，採用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些元件的工作溫度範圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000顆批量的價格為0.92至1.90美元。現提供樣品。
更多資訊請瀏覽：http://www.onsemi.com。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET元件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛元件，符合RoHS指令，關鍵的規範特性包括：
• 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
• 電流能力高達76安培(A)
• 經過100%雪崩測試
• 通過AEC-Q101標準認證
安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N通道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品系列新增的元件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最佳元件。」
封裝及價格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A元件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，採用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A元件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，採用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些元件的工作溫度範圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000顆批量的價格為0.92至1.90美元。現提供樣品。
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