宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。
EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件， 當閘極電壓為 5V 時，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014元件相比，新一代EPC2014元件具有明顯更高的性能優勢，其最大結溫額定值提高至150℃，而其性能在更低閘極電壓時也得到全面增強。
與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
“除了性能方面增強了，新一代增強型氮化鎵場效應電晶體-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。”共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示
。
EPC2014在一千批量時其單價為1.12美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。
技術支援
EPC2014 eGaN FET 應用手冊詳細列明其增強了的性能，網址為http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音訊放大器，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。
EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件， 當閘極電壓為 5V 時，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014元件相比，新一代EPC2014元件具有明顯更高的性能優勢，其最大結溫額定值提高至150℃，而其性能在更低閘極電壓時也得到全面增強。
與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
“除了性能方面增強了，新一代增強型氮化鎵場效應電晶體-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。”共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示
。
EPC2014在一千批量時其單價為1.12美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。
技術支援
EPC2014 eGaN FET 應用手冊詳細列明其增強了的性能，網址為http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音訊放大器，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。
