意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET世界記錄的MDmesh V系列。MDmesh V系列已是業界性能最高的MOSFET產品，擁有最低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現最高的能效和功率密度；現在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器，新產品的成功推出在節能技術領域更是一大耀進。
意法半導體功率電晶體市場總監Maurizio Giudice表示：「新記錄突顯並鞏固了意法半導體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的領導地位，MDmesh Vˋ展現了意法半導體最新經市場驗證的多重漏極網格（Multi-Drain Mesh）技術，新產品所擁有的更高性能讓客戶能夠降低應用設計能耗，同時強化了意法半導體在提供環境友好產品的同時，透過設計研發創新產品為客戶提供卓越性能的承諾。」
新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的導通電組僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上導通電組最低的產品，打破了同樣是MDmesh V元件的0.038 Ω的原產業指標。設計工程人員可直接將新產品替代導通電組較高的MOSFET以提高終端應用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸並降低材料（BOM）成本。
相較於同類600V競爭產品，意法半導體的650V STW88N65M5及其它的 MDmesh V產品擁有更高的安全範圍，從而提高MOSFET對AC電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。
意法半導體經市場驗證的MDmesh V產品採用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。
TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。
詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com/mdmeshv
意法半導體功率電晶體市場總監Maurizio Giudice表示：「新記錄突顯並鞏固了意法半導體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的領導地位，MDmesh Vˋ展現了意法半導體最新經市場驗證的多重漏極網格（Multi-Drain Mesh）技術，新產品所擁有的更高性能讓客戶能夠降低應用設計能耗，同時強化了意法半導體在提供環境友好產品的同時，透過設計研發創新產品為客戶提供卓越性能的承諾。」
新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的導通電組僅為 0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上導通電組最低的產品，打破了同樣是MDmesh V元件的0.038 Ω的原產業指標。設計工程人員可直接將新產品替代導通電組較高的MOSFET以提高終端應用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸並降低材料（BOM）成本。
相較於同類600V競爭產品，意法半導體的650V STW88N65M5及其它的 MDmesh V產品擁有更高的安全範圍，從而提高MOSFET對AC電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。
意法半導體經市場驗證的MDmesh V產品採用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。
TO-247封裝的STW88N65M5現已上市。
詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com/mdmeshv
