Diodes公司推出首款採用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該元件的結點至環境熱阻 (Rthj-a) 為130ºC/W，能於持續狀態下支援高達1W的功率耗散，比起佔位面積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能提供更低溫度運行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與採用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，並具備0.5mm的離板高度，但後者的熱力效能則較低。這對採用DFN1212-3封裝的MOSFET可輕易替換高可靠性的訊號及負載開關應用，適用於包括數位相機、平板電腦和智慧型手機在內的高可攜式消費性電子產品。
Diodes公司最先推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道元件。該N通道MOSFET的典型導通電阻在VGS等於1.8V的情況下為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，可以大幅減少傳導損耗和功耗。
Diodes之後也會推出採用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的元件，和一系列雙極型器件。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與採用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，並具備0.5mm的離板高度，但後者的熱力效能則較低。這對採用DFN1212-3封裝的MOSFET可輕易替換高可靠性的訊號及負載開關應用，適用於包括數位相機、平板電腦和智慧型手機在內的高可攜式消費性電子產品。
Diodes公司最先推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道元件。該N通道MOSFET的典型導通電阻在VGS等於1.8V的情況下為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，可以大幅減少傳導損耗和功耗。
Diodes之後也會推出採用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的元件，和一系列雙極型器件。
