歐司朗光電半導體的兩座晶片製造廠將轉成 6 吋晶圓廠，同時擴展這兩個廠的規模，藉此大幅提升產能。馬來西亞檳城的新廠目前正在興建當中，而在德國的雷士根堡，則將重新配置可用空間。這兩座廠將分別轉至新的生產技術，引進新的 6 吋晶圓來取代目前的 4 吋晶圓。透過這一系列的改變，預計在 2012 年底前白色 LED 的晶片製造產能將可提升近一倍。
透過此次佈局，歐司朗光電半導體得以踏上穩健的發展之路，從國際 LED 市場的成長潛力當中獲利；同時，雷士根堡及檳城新廠的擴建行動，必定能穩固公司在全球市場當中的地位。檳城晶片製造廠約在兩年前已正式啟用，現正如火如荼展開擴建並轉型為 6 吋晶圓廠。預計在 2012 年，總生產面積可以增至約 25,000 平方公尺，期間並能創造約 400 個新工作。而雷士根堡廠則將重新配置可用地區，並陸續移轉 InGaN（氮化銦鎵）的生產，最快在 2011 年夏季隨即展開。
「藉由擴展高效能的 InGaN 晶片產能，我們得以持續鞏固市場地位。LED 市場在許多方面的應用上都蘊藏豐富的潛力，我們便要善加利用這一點。」歐司朗光電半導體執行長 Aldo Kampe 如此表示，他並提到：「歐司朗光電半導體是歐司朗 LED 技術附加價值供應鏈中非常重要的一環。」
此次產能的擴展主要影響到採用薄膜和 UX:3 技術的 InGaN 晶片，這是生產白色 LED 的必要晶片。這些晶片會從一開始就在 6 吋晶圓廠裡生產製造，而不是在目前的 4 吋晶圓廠製造。
透過此次佈局，歐司朗光電半導體得以踏上穩健的發展之路，從國際 LED 市場的成長潛力當中獲利；同時，雷士根堡及檳城新廠的擴建行動，必定能穩固公司在全球市場當中的地位。檳城晶片製造廠約在兩年前已正式啟用，現正如火如荼展開擴建並轉型為 6 吋晶圓廠。預計在 2012 年，總生產面積可以增至約 25,000 平方公尺，期間並能創造約 400 個新工作。而雷士根堡廠則將重新配置可用地區，並陸續移轉 InGaN（氮化銦鎵）的生產，最快在 2011 年夏季隨即展開。
「藉由擴展高效能的 InGaN 晶片產能，我們得以持續鞏固市場地位。LED 市場在許多方面的應用上都蘊藏豐富的潛力，我們便要善加利用這一點。」歐司朗光電半導體執行長 Aldo Kampe 如此表示，他並提到：「歐司朗光電半導體是歐司朗 LED 技術附加價值供應鏈中非常重要的一環。」
此次產能的擴展主要影響到採用薄膜和 UX:3 技術的 InGaN 晶片，這是生產白色 LED 的必要晶片。這些晶片會從一開始就在 6 吋晶圓廠裡生產製造，而不是在目前的 4 吋晶圓廠製造。
