Chipidea USB高速實體層IP通過特許90奈米與65奈米技術驗證

本文作者:admin       點擊: 2007-12-11 00:00
前言:
MIPS Technologies旗下類比事業部門Chipidea宣布USB高速實體層(PHY)IP已通過特許半導體65奈米與90奈米製程技術驗證。Chipidea USB 2.0 On-The-Go(OTG)實體層核心符合USB 2.0標準及USB開發業者論壇(USB-IF)的認證,是業界陣容最完整USB高速實體層 IP的成員之一,不僅經過矽實體驗證,還通過特許晶圓解決方案在0.18微米、0.13微米、90奈米、65奈米的認證。 

Chipidea USB IP 協助客戶加快產品上市時程,將USB與USB OTG Supplement功能內建於像是掌上型裝置、手機、高容量儲存裝置及數位相機等市場規模正快速成長的各種可攜式運算裝置。根據市調機構In-Stat的報告,全球市場在2006年搭載USB功能的裝置,出貨量將超過20億,預估在2011年,出貨量年成長率將達12.3%。 

特許平台聯盟部資深總監Walter Ng表示:「許多客戶將Chipidea的USB解決方案整合至高速連結產品,反映了市場需求及客戶對Chipidea IP的信心。長久以來Chipidea維持及時供貨與其IP解決方案第一次就能成功通過矽實體驗證的優良傳統,其USB高速實體層產品滿足我們嚴苛的IP品質要求,協助特許提供客戶正規65奈米與低功耗90奈米通用平台技術服務。」

Chipidea實體層解決方案部總監Celio Albuquerque表示:「我們實體層元件已通過由USB-IF主導的特許65奈米與90奈米製程驗證,證明我們領先市場腳步,率先針對現今最先進的製程推出矽實體驗證的IP方案。藉由包括實體層與控制晶片等USB IP解決方案,客戶可以最低成本和最快整合度,快速推出新產品。」

Chipidea CI12323cn (USB 2.0 OTG實體層元件) 在特許的通用平台解決方案中,已通過65奈米正規製程的矽實體驗證,CI12343cm(USB 2.0 OTG 實體層元件)也通過90奈米低功耗製程的矽實體驗證。新核心支援多種製程版本。 

 

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