功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出D類音頻功率放大器參考設計IRAUDAMP4。與典型的線路設計相比，新型的參考設計讓設計人員為適用於家庭影院應用、專業揚聲器、樂器和汽車娛樂系統的所有屬中壓範圍的中及高功率放大器，節省百分之五十的PCB板佔位面積。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「藉著在60瓦特、4歐姆底下提供0.004%的THD+N，這種參考設計顯示出IR先進的矽技術讓用戶可由D類拓樸獲得最佳的音頻效能。」
與IR的200伏數位音頻驅動IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數位音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設計，屬於2通道、120瓦特半橋設計，在120瓦特、4歐姆下達致96%的效率。有關設計也結合了多種關鍵保護功能，包括過電流保護、過電壓保護、欠壓保護、直流電保流、過熱保護等。新設計亦提供管家功能，例如為前置放大器的模擬訊號處理而設的+/- 5伏供應，以D類閘驅動階段的 -B作參考的12伏供應 (Vcc)。這個2通道設計可按功率及通道的數目擴展，並能在一般運作情況下無需使用散熱器。
新參考設計基於的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅動IC設計，備有特別為D類音頻放大器應用而設的浮動PWM輸入。其雙向的電流感應可在無需外置分流電阻的情況下，於正及負負載電流中偵測過電流狀況。內置的保護控制模塊提供可編程重設計時器，以及安全的保護程序，防止過電流發生。內置的空載時間建立模塊則有助設定準確的閘開關和最佳的空載時間設計，提供更佳的音頻效能，例如較低的總和諧失真 (THD) ，以及較低的音頻底噪。
配合新參考設計使用的IRF6645功率MOSFET，為IR旗下DirectFET系列的成員。創新的DirectFET封裝技術透過減少引線電感提升開關效能，並降低EMI噪音，從而增強D類音頻放大器線路的效能。其較高的熱效率有助實現在4歐姆阻抗下的120瓦特運行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更在設計線路布局方面提供更大的靈活性，以及能降低整體放大器系統成本。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「藉著在60瓦特、4歐姆底下提供0.004%的THD+N，這種參考設計顯示出IR先進的矽技術讓用戶可由D類拓樸獲得最佳的音頻效能。」
與IR的200伏數位音頻驅動IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數位音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設計，屬於2通道、120瓦特半橋設計，在120瓦特、4歐姆下達致96%的效率。有關設計也結合了多種關鍵保護功能，包括過電流保護、過電壓保護、欠壓保護、直流電保流、過熱保護等。新設計亦提供管家功能，例如為前置放大器的模擬訊號處理而設的+/- 5伏供應，以D類閘驅動階段的 -B作參考的12伏供應 (Vcc)。這個2通道設計可按功率及通道的數目擴展，並能在一般運作情況下無需使用散熱器。
新參考設計基於的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅動IC設計，備有特別為D類音頻放大器應用而設的浮動PWM輸入。其雙向的電流感應可在無需外置分流電阻的情況下，於正及負負載電流中偵測過電流狀況。內置的保護控制模塊提供可編程重設計時器，以及安全的保護程序，防止過電流發生。內置的空載時間建立模塊則有助設定準確的閘開關和最佳的空載時間設計，提供更佳的音頻效能，例如較低的總和諧失真 (THD) ，以及較低的音頻底噪。
配合新參考設計使用的IRF6645功率MOSFET，為IR旗下DirectFET系列的成員。創新的DirectFET封裝技術透過減少引線電感提升開關效能，並降低EMI噪音，從而增強D類音頻放大器線路的效能。其較高的熱效率有助實現在4歐姆阻抗下的120瓦特運行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更在設計線路布局方面提供更大的靈活性，以及能降低整體放大器系統成本。
