英飛凌科技股份有限公司宣佈針對高電流汽車應用推出具備全球最低導通電阻( RDS(on)) 的 30V 場效電晶體(MOSFET)。全新 OptiMOS™-T2 30V MOSFET 具備 N 通道 (signal N-channel)、 180A 汲極電流，且 10V時的導通電阻值僅 0.9mΩ。 IPB180N03S4L-H0 採用 D2PAK-7 封裝，以最少的成本同時提供高額定電流及最低導通電阻，滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET 的需求。
OptiMOS-T2 產品以英飛凌強大的第二代功率 MOSFET 溝槽 (trench) 技術為基礎，非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向 (EPS)，尤其是啟動/停止功能。
基於對成本和效率之需求，採用溝槽式的概念是業界必然的趨勢。 相較於從前的技術，採用 MOSFET 溝槽技術（例如 OptiMOS-T2）在導通電阻和閘電荷兩方面皆有顯著的改善，進而產生業界最低的優值係數 (FoM)。 此外，英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破了 MOSFET 的銲線 (wirebond) 限制，可減少銲線的導通電阻壓降並提升電流能力。 藉由維持更加冷卻的銲線，進而提升產品的可靠度。 最新的 Powerbond 技術能夠於單一 MOSFET 中進行高達四個雙針腳 500µm 銲線，以及在標準封裝中使用 180A 額定電流。
OptiMOS-T2 技術及堅固耐用的封裝設計，可於 MSL1（Moisture Level 1）時的迴銲期間承受 260 °C 的高溫，並支援符合 RoHS 標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET 完全符合汽車電子協會 (AEC-Q101) 之規範。 英飛凌的先進溝槽技術提供低閘電荷、低電容、低切換耗損以及絕佳的 FoM，將電動馬達的效率提升至新的高峰，同時將電磁幅射量 (EMC) 降至最低。 此外，經過最佳化的閘電荷還可支援更小的驅動器輸出階段。
IPB180N03S4L-H0支援需要多個並聯 MOSFET 進行運作的高電流應用（500A 以上）。 由於 IPB180N03S4L-H0 提供 180A 額定電流，因此可為高電流系統減少一個所需的並聯 MOSFET，以最佳化電流分享、溫度特性及成本。 隨著汽車電動馬達改為以脈衝寬度調變 (PWM) 控制來提升效率，OptiMOS-T2 30V 產品也可透過反向連接來提供電池保護。
英飛凌標準汽車動力部門產品行銷協理 Tosten Blanke 表示：「英飛凌以 OptiMOS-T2 溝槽技術生產一系列業界最佳的車用 MOSFET，以堅固耐用的封裝提供絕佳的效能及優異的品質。 在推出具備 180A 額定電流的全新 30V OptiMOS-T2 之後，英飛凌再次為標準封裝的最高電流能力以及溝槽技術的最低 導通電阻樹立新的標竿。」
上市時間與定價
30V IPB180N03S4L-H0 具備 180A 汲極電流且導通電阻值僅 0.9mΩ，目前已開始量產。 此外，英飛凌還針對極具成本考量之應用，推出另款具備 30V/180A (IPB180N03S4L-01) 且在10V時，導通電阻值僅 1.05mΩ 的產品。 上述兩款高功率 MOSFET 皆採標準 D2PAK-7 封裝。
欲獲取更多資訊，請參閱網站： www.infineon.com/automotivemosfet/
OptiMOS-T2 產品以英飛凌強大的第二代功率 MOSFET 溝槽 (trench) 技術為基礎，非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向 (EPS)，尤其是啟動/停止功能。
基於對成本和效率之需求，採用溝槽式的概念是業界必然的趨勢。 相較於從前的技術，採用 MOSFET 溝槽技術（例如 OptiMOS-T2）在導通電阻和閘電荷兩方面皆有顯著的改善，進而產生業界最低的優值係數 (FoM)。 此外，英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破了 MOSFET 的銲線 (wirebond) 限制，可減少銲線的導通電阻壓降並提升電流能力。 藉由維持更加冷卻的銲線，進而提升產品的可靠度。 最新的 Powerbond 技術能夠於單一 MOSFET 中進行高達四個雙針腳 500µm 銲線，以及在標準封裝中使用 180A 額定電流。
OptiMOS-T2 技術及堅固耐用的封裝設計，可於 MSL1（Moisture Level 1）時的迴銲期間承受 260 °C 的高溫，並支援符合 RoHS 標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET 完全符合汽車電子協會 (AEC-Q101) 之規範。 英飛凌的先進溝槽技術提供低閘電荷、低電容、低切換耗損以及絕佳的 FoM，將電動馬達的效率提升至新的高峰，同時將電磁幅射量 (EMC) 降至最低。 此外，經過最佳化的閘電荷還可支援更小的驅動器輸出階段。
IPB180N03S4L-H0支援需要多個並聯 MOSFET 進行運作的高電流應用（500A 以上）。 由於 IPB180N03S4L-H0 提供 180A 額定電流，因此可為高電流系統減少一個所需的並聯 MOSFET，以最佳化電流分享、溫度特性及成本。 隨著汽車電動馬達改為以脈衝寬度調變 (PWM) 控制來提升效率，OptiMOS-T2 30V 產品也可透過反向連接來提供電池保護。
英飛凌標準汽車動力部門產品行銷協理 Tosten Blanke 表示：「英飛凌以 OptiMOS-T2 溝槽技術生產一系列業界最佳的車用 MOSFET，以堅固耐用的封裝提供絕佳的效能及優異的品質。 在推出具備 180A 額定電流的全新 30V OptiMOS-T2 之後，英飛凌再次為標準封裝的最高電流能力以及溝槽技術的最低 導通電阻樹立新的標竿。」
上市時間與定價
30V IPB180N03S4L-H0 具備 180A 汲極電流且導通電阻值僅 0.9mΩ，目前已開始量產。 此外，英飛凌還針對極具成本考量之應用，推出另款具備 30V/180A (IPB180N03S4L-01) 且在10V時，導通電阻值僅 1.05mΩ 的產品。 上述兩款高功率 MOSFET 皆採標準 D2PAK-7 封裝。
欲獲取更多資訊，請參閱網站： www.infineon.com/automotivemosfet/
