意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出9款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET産品組合，為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。
高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要。從車窗升降機、雨刷、熱風鼓風機，到引擎控制模組、起動發電機、能源恢複系統，這些均由電氣系統管理，而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統，以最大幅度地延長汽車可開公里數。意法半導體的新款功率MOSFET能夠將電氣系統驅動器和控制器的正常功耗降至最低，從而提升電氣系統的能效；同時還可減少電路産生的熱量，實現尺寸更小、更輕的裝置設備。
全新符合AEC-Q101的30V和40V功率元件系列採用意法半導體先進的STripFET VI DeepGATE技術，擁有極低的導通損耗（conduction loss）與有效晶片尺寸比。這兩款産品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導通損耗，採用工業標準DPAK或D2PAK兩種表面黏著功率封裝，只需用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS產品系列包括邏輯準位和標準準位兩種型號。
爲保證新産品達到汽車應用要求的可靠性和穩健性，根據AEC-Q101標準認證的測試條件，所有元件在晶圓製程和成品階段均經過100%雪崩測試（avalanche）。除汽車設備以外，新系列産品還並可提高其它應用的電源和驅動器能效。
主要特性：
• 30V和40V崩潰電壓（breakdown voltage）
• 額定輸出電流 44A至80A
• 標準閥值驅動
• 邏輯準位控制
• -55°C至175°C工作溫度範圍
• 通過AEC-Q101認證
9款新産品均已量産。
詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com/pmos
