飛思卡爾半導體今天宣佈,該公司將與幾個頂尖創投公司集資成立一間以MRAM (磁性隨機存取記憶體)為主要產品的獨立新公司。這間新公司名為EverSpin Technologies,將持續提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品。飛思卡爾將會把原有的MRAM技術、相關的智慧財產及產品轉移給EverSpin Technologies,但在新公司內仍保有一定的股份權益。飛思卡爾將會繼續研製以EverSpin之MRAM技術為根基的嵌入式產品。EverSpin的資金來自於New Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson以及Epic Ventures。
飛思卡爾是MRAM技術的龍頭,也是市場上唯一的量產供應商。MRAM將磁性材質與傳統矽晶線路結合在單一的永久耐用元件當中,不但兼具SRAM的速度,也具備快閃記憶體的非揮發性。MRAM元件的設計將非揮發性記憶體及RAM的優勢合而為一,讓新型的智慧型電子裝置能擁有「立即開啟」及防備斷電的功能。
飛思卡爾半導體的資深副總裁暨技術長Lisa Su認為:「MRAM技術是一項與眾不同的技術,它在獨立記憶體及嵌入式產品的半導體市場上具有多款應用,我們決定成立新的公司的目的,就是為了要在所有的新應用當中加速採用MRAM。」
New Venture Partners LLC的執行合夥人Steve Socolof指出:「目前飛思卡爾的MRAM產品在市場上擁有其為強大的影響力,而飛思卡爾也充分理解到這樣的商機如能交由獨立公司專注處理,將可提升業績成長。飛思卡爾MRAM產品獨一無二的性能及傑出的可靠度 ,讓EverSpin成為最佳的投資標的。我們非常樂意與飛思卡爾合作,提供EverSpin在拓展產品線和技術藍圖時所需的支援和資源。」
EverSpin Technologies的營運長Saied Tehrani表示:「MRAM的潛力對於商用及消費性裝置的研發和上市方式所造成的影響非常大,EverSpin的團隊非常期待能拓展原本在飛思卡爾內部所取得的技術及市場成就。」
根據協議,EverSpin Technologies會取得MRAM製造資產的所有權,並以亞利桑那州的Chandler為基地,繼續供應產品給飛思卡爾現有的個別MRAM用戶。此外,EverSpin會提供MRAM技術給飛思卡爾,以便運用於飛思卡爾的嵌入式產品。
飛思卡爾的MR2A16A 4M位元產品發表於2006年,是全球第一款高效能的MRAM元件,獲獎不計其數:包括2007年的Design News Golden MouseTrap年度產品大獎、2007年的R&D 100大獎、Electronic Products的2006年度產品獎、EE Times China的2007年度記憶體產品大獎、LSI與ESEC Japan共同頒發的2007年特優獎、以及2007年In-Stat/Microprocessor Report的年度創意產品獎。此外,飛思卡爾的MRAM元件亦入選了EDN的2006年創意大獎及EE Times的2006年ACE大獎等獎項的決選名單。
關於EverSpin Technologies
EverSpin Technologies在磁性記憶體(MRAM)的研發及製造方面均獨步全球。該公司源自飛思卡爾半導體,目前是由雄厚創投資金所支援的獨立公司。越來越多的業者都已採用EverSpin的MRAM產品,藉以強化其先進的產品。
www.everspin.com
關於飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)
飛思卡爾半導體為全球知名嵌入式半導體設計與製造領導廠商,其產品應用遍及汽車用電子、消費性電子、工業電子、網路電子以及無線網路市場等領域。飛思卡爾半導體是一家跨國私有公司,總部位於德州奧斯汀,其設計、研發、製造和業務等部門分布於全球30多個國家。飛思卡爾是全球最大的半導體公司之一,2007年營業額為57億美金。欲知詳情請參考網址:
www.freescale.com