美光針對嵌入式應用推出串列NAND快閃記憶體

本文作者:admin       點擊: 2008-12-10 00:00
前言:
美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.,紐約證券交易所:MU)推出了一項串列NAND快閃記憶體技術,使嵌入式應用產品能夠靈活方便地升級儲存容量。美光串列NAND快閃記憶體的最低晶片密度為1Gb,客戶能夠輕鬆地在串列NOR快閃記憶體現有的儲存能力之外,以高性價比擴充儲存容量;此外,美光的這款快閃記憶體還具有顯著的最低每位元成本(cost-per-bit)優勢。 

美光公司NAND市場開發總監Kevin Kilbuck說:「美光的串列NAND技術能提供市場每百萬位元組成本最低的串列介面快閃記憶體。現在有許多嵌入式應用產品需要128M甚至更大的儲存空間,我們預計容量需求還會繼續增加,這就需要在NOR快閃記憶體之外提供NAND技術的儲存解決方案。」

隨著嵌入式系統的發展,他們需要功能更穩健、密度更高的記憶體解決方案。WiMAX設備、機上盒、印表機以及其他工業和汽車應用產品過去只用來進行資訊解碼,而這樣的時代已經一去不復返了。現在,這些設備之中有更為尖端的作業系統,用於管理多媒體、圖片和其他資料密集的內容,因此也需要設備提供更大的儲存空間。 

美光瞭解到這些應用需求,充分利用其可靠的NAND技術,為客戶提供一套密度更高、寫入性能更佳、擴充性更好的儲存解決方案,使用戶無需從頭至尾重新設計系統,就能擴充其應用產品的儲存容量。此外,美光的串列NAND技術採用與並列NAND相同的封裝類型,因此可作為一種過渡方法,幫助製造商在需要的時候從串列介面產品轉換到並列NAND介面產品。 

美光串列NAND技術優勢

• 相容性:與產業標準的串列週邊介面(SPI)指令集相容。 

• 最大限度增強功能:提供所需的密度,以最大限度提高系統功能,降低物料成本。使用者自建的內容直接儲存到設備上,無需使用單獨的NAND晶片。

• 速度更快:美光的串列NAND快閃記憶體的處理速度為2.64 MB/s,寫入速度比NOR快閃記憶體(不到0.5MB/s)更快。

• 簡約的設計:去掉了外部介面卡插槽,因此降低了物料成本;並利用晶片上的錯誤校正碼(ECC)來解決出廠原始NAND快閃記憶體衍生的複雜問題。 

• 更安全:提供了唯讀區和保護區塊鎖定,以避免設備上儲存的內容遭到擅自更改。 

產品上市時程

美光的1Gb串列NAND技術現已推出試用產品,預計於2009年第一季投入量產。美光公司還計畫於2009年初推出密度更高的串列NAND快閃記憶體產品,容量將可達到4Gb。

關於美光公司

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球領先的先進半導體解決方案供應商之一。透過全球各地的營運,美光科技生產銷售DRAM、NAND Flash記憶體、CMOS影像感測元件、其他半導體元件以及記憶體模組,作為尖端電腦、消費者、網路以及手機產品的使用。美光科技是在美國紐約證券交易所股票上市之公司,交易代碼為MU。如需瞭解美光科技有限公司的詳細資訊,請造訪 www.micron.com。

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