集邦科技(DRAMeXchange)公佈2Q07 NAND Flash銷售額排名，2Q07全球 NAND Flash(含其它DATA Flash)製造商銷售額達到28.67億美元。由於多數廠商新製程技術仍處調整期，QoQ僅成長7.5%， 2Q07 NAND Flash價格也得以止跌反彈達10%以上。Samsung仍以43.9%的市佔率持續保持第一名的位置，前三名NAND Flash廠商約佔整體市場85.5%的市佔率。集邦預期因傳統旺季效應及廠商新製程調整期延長，下半年NAND Flash 市場將呈現供給不足的狀況。
1Q07 NAND Flash平均價格急跌達40%以上，製造商在上半年暫緩產能擴充計劃，再加上Samsung、Toshiba以及Hynix 2Q07在新製程技術轉換仍處調整期。因此2Q07的整體NAND Flash的位元(bit)產出量與1Q07變化極小。集邦分析師指出市場由1Q07的供過於求在2Q07轉變供需較平衡之狀況，因此2Q07 NAND Flash價格也得以止跌反彈達10%以上。
依個別廠商在2Q07 NAND Flash銷售狀態而言：
三星(Samsung)仍以43.9%的市佔率持續保持第一名的位置，市佔率較1Q07 的39.6%高，Samsung在06年下半已將部份NAND Flash產能漸漸轉為DRAM。1H07產出主要以製程技術升級為主，而50 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期， 2Q位元產出成長約比1Q成長11%。2Q07 ASP約較1Q07上漲約10%，銷售值約成長QoQ19.4%達12.6億美元。
東芝(Toshiba) 2Q07 NAND Flash銷售值雖比1Q07減少，但2Q07 Toshiba仍以24.8%的市佔率保持第二名，而市佔率則較1Q07的30.1%低。主因來自於其56 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期，因此QoQ位元產出比減少約10%，且客戶多以長期合作夥伴為主，所以ASP與1Q07 呈現大致持平的狀況，2Q07銷售值約較1Q07 減少約11.6%達7.11億美元。
海力士(Hynix)則以16.8%的市佔率持續保持第三名的位置，較1Q07的15.4%高。Hynix在2H06也將部份NAND Flash產能漸漸轉為DRAM。所以1H07的產出主要也以製程技術的升級為主，但是因為60 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期，所以2Q位元產出比1Q稍為減少，但因2Q07平均價格(ASP, average selling price)比1Q07上漲25%，所以2Q07銷售值約較1Q07 成長約16.7%達4.81億美元。
前三名NAND Flash廠商約佔整體市場85.5%的市佔率，市場集中度仍然很高。就其它廠商的狀況而言，因IM Flash 3Q07末才會於新的12吋廠投產50 nm新製程產品，但因價格反彈及製程技術提升的產出增加， 2Q07 Micron & Intel的NAND Flash銷售額仍較1Q07穩定成長， 2Q07市佔率分別為4.8%及1.9%。
瑞薩( Renesas)因策略上將持續降低自有AG-AND Flash的生產比重，並轉由合作夥伴力晶(PSC)代工。2Q07瑞薩與力晶陣營銷售值比1Q07 減少，其2Q07市佔率也降到4.2%，3Q07末，力晶也將開始生產MLC NAND Flash產品。
另外，意法半導體( STMicro) 2Q07則因來自手機的相關應用業務明顯增加，因此2Q07 的NAND Flash銷售值較1Q07明顯成長，使得其2Q07 的市佔率也提高到2.9% ; 奇夢達(Qimonda)自2007年起為維持服務客戶，將採漸進減產的方式來生產Twin Flash，故2Q07銷售值較1Q07減少，而其市佔率約為0.7%。
集邦預期因傳統旺季效應及廠商新製程調整期延長，下半年NAND Flash市場將呈現供給不足的狀況。
1Q07 NAND Flash平均價格急跌達40%以上，製造商在上半年暫緩產能擴充計劃，再加上Samsung、Toshiba以及Hynix 2Q07在新製程技術轉換仍處調整期。因此2Q07的整體NAND Flash的位元(bit)產出量與1Q07變化極小。集邦分析師指出市場由1Q07的供過於求在2Q07轉變供需較平衡之狀況，因此2Q07 NAND Flash價格也得以止跌反彈達10%以上。
依個別廠商在2Q07 NAND Flash銷售狀態而言：
三星(Samsung)仍以43.9%的市佔率持續保持第一名的位置，市佔率較1Q07 的39.6%高，Samsung在06年下半已將部份NAND Flash產能漸漸轉為DRAM。1H07產出主要以製程技術升級為主，而50 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期， 2Q位元產出成長約比1Q成長11%。2Q07 ASP約較1Q07上漲約10%，銷售值約成長QoQ19.4%達12.6億美元。
東芝(Toshiba) 2Q07 NAND Flash銷售值雖比1Q07減少，但2Q07 Toshiba仍以24.8%的市佔率保持第二名，而市佔率則較1Q07的30.1%低。主因來自於其56 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期，因此QoQ位元產出比減少約10%，且客戶多以長期合作夥伴為主，所以ASP與1Q07 呈現大致持平的狀況，2Q07銷售值約較1Q07 減少約11.6%達7.11億美元。
海力士(Hynix)則以16.8%的市佔率持續保持第三名的位置，較1Q07的15.4%高。Hynix在2H06也將部份NAND Flash產能漸漸轉為DRAM。所以1H07的產出主要也以製程技術的升級為主，但是因為60 nm新製程技術在2Q07仍處於調整期，所以2Q位元產出比1Q稍為減少，但因2Q07平均價格(ASP, average selling price)比1Q07上漲25%，所以2Q07銷售值約較1Q07 成長約16.7%達4.81億美元。
前三名NAND Flash廠商約佔整體市場85.5%的市佔率，市場集中度仍然很高。就其它廠商的狀況而言，因IM Flash 3Q07末才會於新的12吋廠投產50 nm新製程產品，但因價格反彈及製程技術提升的產出增加， 2Q07 Micron & Intel的NAND Flash銷售額仍較1Q07穩定成長， 2Q07市佔率分別為4.8%及1.9%。
瑞薩( Renesas)因策略上將持續降低自有AG-AND Flash的生產比重，並轉由合作夥伴力晶(PSC)代工。2Q07瑞薩與力晶陣營銷售值比1Q07 減少，其2Q07市佔率也降到4.2%，3Q07末，力晶也將開始生產MLC NAND Flash產品。
另外，意法半導體( STMicro) 2Q07則因來自手機的相關應用業務明顯增加，因此2Q07 的NAND Flash銷售值較1Q07明顯成長，使得其2Q07 的市佔率也提高到2.9% ; 奇夢達(Qimonda)自2007年起為維持服務客戶，將採漸進減產的方式來生產Twin Flash，故2Q07銷售值較1Q07減少，而其市佔率約為0.7%。
集邦預期因傳統旺季效應及廠商新製程調整期延長，下半年NAND Flash市場將呈現供給不足的狀況。
