RAMBUS 推出新一代行動記憶體技術
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2009-02-06 00:00
前言:
全球領先高速記憶體架構技術授權公司 Rambus 發表其創新行動記憶體 (Mobile Memory Initiative) 技術。這項技術開發計畫聚焦於高頻寬、低功耗的記憶體技術,目標為在同等級最佳能源效率下,達到 4.3 Gbps 的資料傳輸率。此卓越效能可協助設計人員透過單一行動DRAM裝置,實現每秒超過17 Gigabytes的記憶體頻寬。這些技術推動的記憶體架構將可符合新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和可攜式媒體產品等應用需求。Rambus 也於 DesignCon 2009 展場上以矽測試載具 (silicon test vehicle) 展示此創新行動記憶體技術。
Rambus 研究與技術開發部門資深副總裁 Martin Scott 表示,隨著消費者對行動裝置的多媒體應用期望增加,市場也需要新的記憶體解決方案以滿足快速成長的頻寬需求。Rambus 透過此突破性創新行動記憶體技術的研發,支援廣泛多元的各式先進行動應用,進一步豐富全球消費者的生活。
Rambus 結合其高頻寬的專業能力和高電源效率的訊號技術,為創新行動記憶體開發關鍵性的新特色,例如:
• 極低擺幅差動訊號 —結合差動架構中穩固的訊號品質和創新的電路技術,大幅降低主動功率消耗;
• FlexClocking™ 架構 — 為一時脈前送 (clock-forwarded) 和時脈分配 (clock-distributed) 拓樸 ,可實現高速運作和簡化的DRAM介面,以及
• 進階電源狀態管理 — 搭配 FlexClocking 架構,可提供省電模式之間的快速轉換時間,並可在不同使用模式下達到電源效率最適化的目標。
Rambus的行動記憶體計畫以獲獎項肯定的 XDR 記憶體架構和低耗電與 Tyrabyte 頻寬創新為基礎,更結合如 FlexPhase™ 和 Microthreading 等關鍵技術。過去近 19 年來,Rambus 的工程團隊不斷開發領先市場的創新技術,使訊號傳輸更快速、耗電更低。Rambus 也致力於高效與節能記憶體架構的進階研究、開發與應用,並投資於進階電路設計、高速邏輯介面、系統工程、訊號與電源完整性 (power integrity)、認證與測試等活動。Rambus 的工程師與科學家所開發的創新技術已在全球取得超過1200 項專利,包含已發布或申請中的件數。
更多 Rambus 創新行動記憶體的相關資訊,請參見網站:www.rambus.com/mobile。
進一步資訊請上網站www.rambus.com查詢。