高速晶片設計技術授權公司 Rambus 宣佈其運用Mobile Memory Initiative (MMI) 所開發的最新晶片測試達到突破性功耗效能。最新的晶片測試結果顯示，高頻寬行動裝置的記憶體控制器透過MMI 創新技術的運用可達到領先全球的 2.2mW/Gbps 功耗效能。相較於初期的 MMI 晶片測試結果，此一數值減少將近 1/3 的功耗，而且大幅超過 LPDDR2 400 記憶體控制器所能達到的 10mW/Gbps。
自從 2009 年 2 月推出以來，Rambus 的 MMI 便致力以極低功耗達到高頻寬，進而實現新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機及可攜式媒體產品的先進應用。採用 MMI 新技術的記憶體系統以 4.3Gbps 運作時，可使單一行動 DRAM 裝置達到 17GB/s 以上的記憶體頻寬。
Rambus 研究及技術開發資深副總裁 Martin Scott 表示，電池技術改進的速度遠落後於新一代行動裝置的效能需求。運用 MMI 來開發新技術可達到頻寬及功耗方面的突破性進展，進而實現先進的應用並維持長效的電池電力。
Rambus 的 MMI 提供卓越的訊號處理及記憶體架構專業知識，其中包括極低擺幅差動訊號 (Very Low-Swing Differential Signaling)、FlexClocking™ 架構及進階電源狀態管理 (Advanced Power State Management)，可協助開發關鍵的創新技術。此外，Rambus 的 FlexPhase™ 及微執行緒 (Microthreading) 技術亦大幅提升行動平台的功耗效能。
Rambus 並於10 月底美國矽谷 Santa Clara 會議中心舉行的ARM TechCon 3 中，演講 Rambus 如何面對行動記憶體的挑戰。此次的主題為「行動記憶體是否將耗用大量電力」，著重記憶體系統效能、電源、外型體積及相關成本等層面，並且針對行動市場內最佳記憶體架構的製造，討論在擴展性、電源效率、電源狀態結束延遲 (power state exit latency)、時脈回復 (clock recovery)、訊號完整性 (signal integrity) 及低成本封裝等問題上的因應之道。
自從 2009 年 2 月推出以來，Rambus 的 MMI 便致力以極低功耗達到高頻寬，進而實現新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機及可攜式媒體產品的先進應用。採用 MMI 新技術的記憶體系統以 4.3Gbps 運作時，可使單一行動 DRAM 裝置達到 17GB/s 以上的記憶體頻寬。
Rambus 研究及技術開發資深副總裁 Martin Scott 表示，電池技術改進的速度遠落後於新一代行動裝置的效能需求。運用 MMI 來開發新技術可達到頻寬及功耗方面的突破性進展，進而實現先進的應用並維持長效的電池電力。
Rambus 的 MMI 提供卓越的訊號處理及記憶體架構專業知識，其中包括極低擺幅差動訊號 (Very Low-Swing Differential Signaling)、FlexClocking™ 架構及進階電源狀態管理 (Advanced Power State Management)，可協助開發關鍵的創新技術。此外，Rambus 的 FlexPhase™ 及微執行緒 (Microthreading) 技術亦大幅提升行動平台的功耗效能。
Rambus 並於10 月底美國矽谷 Santa Clara 會議中心舉行的ARM TechCon 3 中，演講 Rambus 如何面對行動記憶體的挑戰。此次的主題為「行動記憶體是否將耗用大量電力」，著重記憶體系統效能、電源、外型體積及相關成本等層面，並且針對行動市場內最佳記憶體架構的製造，討論在擴展性、電源效率、電源狀態結束延遲 (power state exit latency)、時脈回復 (clock recovery)、訊號完整性 (signal integrity) 及低成本封裝等問題上的因應之道。
