2011年對歐系半導體龍頭ST意法半導體而言是豐收的一年，無論在 MEMS、ARM MCU或 SoC處理器市場的表現上都搶足了風頭。在如汽車(中國第 1全球第3) 、電腦周邊(噴墨頭第 1，印表機與硬碟馬達控制器第2) 、消費性電子(美國以外STB第 1，全球STB第2) 、工業及其他(第3) 、通訊(全球第3)等目標市場都居於領先地位。產品陣容完整，讓ST能均衡地在各個領域有發展空間。在產業動盪的情勢下，ST的經營策略顯得格外出色，日前該公司技術長Jean-Marc Chery來台提出ST的策略與半導體先進製程所面臨的挑戰。
照片人物:意法半導體資深執行副總裁暨技術長Jean-Marc Chery
Jean-Marc Chery指出，ST執行長Carlo Bozotti所提出的「公司願景是要成為感應與功率技術和多媒體整合應用領域無可爭議的產業領袖」。遵循這個願景，ST在MEMS/感測器、類比產品、微控制器與電源管理晶片上都已建立領先優勢；在推動多媒體整合方面，以低功耗 CMOS製程開發、高整合度與廣泛的專有技術為主要優勢。在人才與技術的雄厚基礎下，基於功率/分離式元件、類比產品與MEMS、微控制器、ASIC及多媒體整合平台等產品陣容，在電源管理與節能、信任/資料安全、智慧型消費性電子與醫療保健設備等市場取得領導地位。
Jean-Marc Chery表示，ST在半導體市場具有得天獨厚的競爭優勢是因其掌握多元化的關鍵技術，如先進CMOS製程、類比/混合信號/射頻、eNVM、BCD、分離式元件與MEMS等，推動ST成為多媒體整合以及感測與功率市場的領導者。當前業界呈現兩大技術趨勢，一是朝晶片尺寸最小化發展的摩爾定律，包括CPU、記憶體、邏輯元件等VLSI製程均朝更加細微發展(130奈米到22奈米以下)，以系統單晶片為主流。另一是後摩爾定律的多元化製程趨勢，類比/射頻元件、被動元件、高功率元件、感測器與驅動器、生物晶片等都需要不同的製程，因此具成本與上市時間優勢的系統級封裝(SiP) 蔚為主流。權衡兩者之重，Chery認為系統單晶片與系統級封裝並用，才能提高系統價值。
ST無論在摩爾定律技術或後摩爾技術均是業界領導者。 Chery指出，積極參與先進技術策略聯盟進行研發合作是ST保有創新技術的基礎。ST參加了兩大CMOS技術聯盟，一是PreT0聯盟(成員有ST、 IBM、Toshiba、Globalfoundries、Renesas、Sansung)等，旨在先進CMOS技術研究。二是ISDA聯盟以基體(BULK)/低功耗(LP)技術開發(32/28nm，20nm)為主(成員有IBM、ST、 Globalfoundries、Infineon、Samsung、Toshiba)。他認為透過策略聯盟進行研發合作可降低選擇關鍵製程和架構的風險，共同分攤營運投入，尤期ST選擇衍生技術和附加功能，以充份利用共同平台。例如， ST採用基於ISDA技術的Gate First(閘極優先)CMOS28LP核心技術，發展出各式晶片，如MiM電容、28AMS、28LP/G、28FDSOI、eDRAM、3D 整合等技術。而為能讓高性能CPU兼具低功耗與高速雙重特性，ST採用了FDSOI(完全空乏型SOI(絕緣矽)技術，效能優於體效應(BULK)技術。簡言之，ST與其他代工廠與IDM對手的差異即在於針對低功率、高階行動裝置與高性能(如Server)應用有不同對應的製程技術。
在20奈米以下節點將會有新的電晶體和微影技術，對此ST已擘畫至10奈米以下製程的藍圖，同時ST對300mm晶圓產能也有完善的規畫，期望將晶片設計、先進技術和規模製造能力整合到網路化製造群聚內，以取得市場成功的關鍵。
照片人物:意法半導體資深執行副總裁暨技術長Jean-Marc Chery
Jean-Marc Chery指出，ST執行長Carlo Bozotti所提出的「公司願景是要成為感應與功率技術和多媒體整合應用領域無可爭議的產業領袖」。遵循這個願景，ST在MEMS/感測器、類比產品、微控制器與電源管理晶片上都已建立領先優勢；在推動多媒體整合方面，以低功耗 CMOS製程開發、高整合度與廣泛的專有技術為主要優勢。在人才與技術的雄厚基礎下，基於功率/分離式元件、類比產品與MEMS、微控制器、ASIC及多媒體整合平台等產品陣容，在電源管理與節能、信任/資料安全、智慧型消費性電子與醫療保健設備等市場取得領導地位。
Jean-Marc Chery表示，ST在半導體市場具有得天獨厚的競爭優勢是因其掌握多元化的關鍵技術，如先進CMOS製程、類比/混合信號/射頻、eNVM、BCD、分離式元件與MEMS等，推動ST成為多媒體整合以及感測與功率市場的領導者。當前業界呈現兩大技術趨勢，一是朝晶片尺寸最小化發展的摩爾定律，包括CPU、記憶體、邏輯元件等VLSI製程均朝更加細微發展(130奈米到22奈米以下)，以系統單晶片為主流。另一是後摩爾定律的多元化製程趨勢，類比/射頻元件、被動元件、高功率元件、感測器與驅動器、生物晶片等都需要不同的製程，因此具成本與上市時間優勢的系統級封裝(SiP) 蔚為主流。權衡兩者之重，Chery認為系統單晶片與系統級封裝並用，才能提高系統價值。
ST無論在摩爾定律技術或後摩爾技術均是業界領導者。 Chery指出，積極參與先進技術策略聯盟進行研發合作是ST保有創新技術的基礎。ST參加了兩大CMOS技術聯盟，一是PreT0聯盟(成員有ST、 IBM、Toshiba、Globalfoundries、Renesas、Sansung)等，旨在先進CMOS技術研究。二是ISDA聯盟以基體(BULK)/低功耗(LP)技術開發(32/28nm，20nm)為主(成員有IBM、ST、 Globalfoundries、Infineon、Samsung、Toshiba)。他認為透過策略聯盟進行研發合作可降低選擇關鍵製程和架構的風險，共同分攤營運投入，尤期ST選擇衍生技術和附加功能，以充份利用共同平台。例如， ST採用基於ISDA技術的Gate First(閘極優先)CMOS28LP核心技術，發展出各式晶片，如MiM電容、28AMS、28LP/G、28FDSOI、eDRAM、3D 整合等技術。而為能讓高性能CPU兼具低功耗與高速雙重特性，ST採用了FDSOI(完全空乏型SOI(絕緣矽)技術，效能優於體效應(BULK)技術。簡言之，ST與其他代工廠與IDM對手的差異即在於針對低功率、高階行動裝置與高性能(如Server)應用有不同對應的製程技術。
在20奈米以下節點將會有新的電晶體和微影技術，對此ST已擘畫至10奈米以下製程的藍圖，同時ST對300mm晶圓產能也有完善的規畫，期望將晶片設計、先進技術和規模製造能力整合到網路化製造群聚內，以取得市場成功的關鍵。
