松下電器公司 (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.) 和瑞蕯科技公司 (Renesas Technology)宣布成功整合測試 45 奈米的系統晶片 (SoC) 半導體製造技術。此項製程技術是產業首創完全整合1 氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器2 與光隙數值 1.0 或更高的技術。兩家公司在 2005 年 10 月開始合作 45 奈米的製程開發計畫，同時兩家公司自 1998 年即開始合作前一代的生產製程開發計畫。
目前的聯合開發計畫將於 2007 年 6 月完成，並預計在 2008 年初開始量產。全新 45 奈米製程將由松下和瑞蕯共同使用，生產高階行動產品和消費性網路電子產品的系統晶片。除了高階的氬氟浸沒微影技術外，兩家公司也計畫引進其他新技術，使其成為開發計畫的一部份，包含引流高移動率電晶體3 和 ELK (K = 2.4) 多層次線路模組4。
兩家公司在 1998 年首次同意合作開發下一世代系統晶片技術，當時甚至瑞蕯科技尚未成立。新計畫是雙方第五階段合作的一部份，該計畫開始於 2005 年 10 月。雙方共同開發計畫中最顯著的成就包含在 2001 年完成 130 奈米的 DRAM 合併製程、2002 年的90 奈米系統晶片製程、2004 年的 90 奈米 DRAM 合併製程，和 2006 年的 65 奈米系統晶片製程。
未來松下和瑞蕯將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配發資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，累積技術能量，形成絕佳的合作關係。
註釋：
1. 完全整合：指完全整合生產技術至所有晶圓製程中，而非限制整合個別單一模組。
2.氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器：藉由液體填滿投射鏡片和晶圓間的空隙，增加鏡片有效直徑的技術。
3.引流高移動率電晶體 (Introduced-strain high-mobility transistor)：藉由引進局部應力 (localized stress) 至電晶體中，以增加電流驅動容量的技術。
4.LK (K = 2.4) 多層次線路模組：利用低相關電容率的層間絕緣薄膜，進行多層銅線
繞線的技術。
目前的聯合開發計畫將於 2007 年 6 月完成，並預計在 2008 年初開始量產。全新 45 奈米製程將由松下和瑞蕯共同使用，生產高階行動產品和消費性網路電子產品的系統晶片。除了高階的氬氟浸沒微影技術外，兩家公司也計畫引進其他新技術，使其成為開發計畫的一部份，包含引流高移動率電晶體3 和 ELK (K = 2.4) 多層次線路模組4。
兩家公司在 1998 年首次同意合作開發下一世代系統晶片技術，當時甚至瑞蕯科技尚未成立。新計畫是雙方第五階段合作的一部份，該計畫開始於 2005 年 10 月。雙方共同開發計畫中最顯著的成就包含在 2001 年完成 130 奈米的 DRAM 合併製程、2002 年的90 奈米系統晶片製程、2004 年的 90 奈米 DRAM 合併製程，和 2006 年的 65 奈米系統晶片製程。
未來松下和瑞蕯將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配發資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，累積技術能量，形成絕佳的合作關係。
註釋：
1. 完全整合：指完全整合生產技術至所有晶圓製程中，而非限制整合個別單一模組。
2.氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器：藉由液體填滿投射鏡片和晶圓間的空隙，增加鏡片有效直徑的技術。
3.引流高移動率電晶體 (Introduced-strain high-mobility transistor)：藉由引進局部應力 (localized stress) 至電晶體中，以增加電流驅動容量的技術。
4.LK (K = 2.4) 多層次線路模組：利用低相關電容率的層間絕緣薄膜，進行多層銅線
繞線的技術。
