新型Trench製程的 DirectFET以更小的電路面積，提供低導通電阻和低封裝電感，讓CPU Vcore的電源擁有更高的功率密度
全球功率半導體及管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新款 耐壓30V IRF6612 ，新元件採用IR專有的表面黏著DirectFET封裝。IRF6612同時具有低導通電阻 (4.4mOhms@VGS = 4.5V) 和低封裝電感的特性，表現最佳性能組合，哂渺斗歉綦xDC-DC轉換器中的同步整流器，大幅提升筆記型電腦和伺服器電腦的電源效率。IRF6612還可用於隔離式DC-DC轉換器的次級同步整流，適用於網路和通訊領域。
目前，採用Intel Centrino流動技術的筆記型電腦都擁有專為CPU而設計的電源方案；大多數採用二相設計，每相分別具有1個控制和2個同步SO-8封裝MOSFET。這3個SO-8元件可利用一對DirectFET元件取代 – 以IRF6612用作同步MOSFET，IRF6608用作控制MOSFET。與現在採用標準SO-8元件的電路設計比較，DirectFET方案可減少元件數量，也可縮小MOSFET所需PCB面積達33%。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6612把IR最新、最先進的Trench MOSFET技術結合於DirectFET封裝技術，為空間有限的筆記型電腦大幅提高功率密度。這對於發展迅速的輕巧纖薄型筆記簿型電腦特別重要。在擁有強制散熱氣流的高階桌上型和伺服器設計中，只需一個 IRF6612哂迷諭降投吮憧蓪七娏鞒休d能力擴展至每相30A。」
IR的DirectFET MOSFET封裝具備多種在標準塑料封裝內前所未見的嶄新設計優點。其「金屬外殼」結構可以有效的將熱量引離主機板，消除熱對先進微處理器性能的嚴重威脅。
此外，DirectFET MOSFET採用新的雙面冷卻設計，為驅動這些處理器的高頻DC-DC降壓轉換器帶來雙倍電流處理能力，延展它們在高階桌上型電腦、膝上型電腦、路由器及伺服器中的先進效能。
客戶可利用myPOWER網上設計中心內的MOSFET選擇器工具，在同步降壓電路上分析和比較IRF6612及其他低電壓MOSFET。該工具能在以下網站免費下載： http://mypower.irf.com。
IRF6612已開始供應。資料表及應用手冊詳列於IR網站www.irf.com，基本規格如下：
產品編號 封裝 BVDSS 10V下之
最大RDS(on) 4.5V下之RDS(on) VGS TCASE
25?C 下之ID 典型QG 典型QGD
IRF6612 DirectFET 30V 3.3mOhm 4.4mOhm 20V 136A 30nC 10nC
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能咚恪p少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗者)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統及航太系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。IR在1947年成立，總部位於美國洛杉磯，在亞洲多個地區設有辦事處，包括中國大陸、香港、台灣、新加坡、韓國、印度、澳洲及菲律賓。IR在全球共有5,500名員工，在英國、美國、墨西哥和義大利設有製造廠。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
全球功率半導體及管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新款 耐壓30V IRF6612 ，新元件採用IR專有的表面黏著DirectFET封裝。IRF6612同時具有低導通電阻 (4.4mOhms@VGS = 4.5V) 和低封裝電感的特性，表現最佳性能組合，哂渺斗歉綦xDC-DC轉換器中的同步整流器，大幅提升筆記型電腦和伺服器電腦的電源效率。IRF6612還可用於隔離式DC-DC轉換器的次級同步整流，適用於網路和通訊領域。
目前，採用Intel Centrino流動技術的筆記型電腦都擁有專為CPU而設計的電源方案；大多數採用二相設計，每相分別具有1個控制和2個同步SO-8封裝MOSFET。這3個SO-8元件可利用一對DirectFET元件取代 – 以IRF6612用作同步MOSFET，IRF6608用作控制MOSFET。與現在採用標準SO-8元件的電路設計比較，DirectFET方案可減少元件數量，也可縮小MOSFET所需PCB面積達33%。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6612把IR最新、最先進的Trench MOSFET技術結合於DirectFET封裝技術，為空間有限的筆記型電腦大幅提高功率密度。這對於發展迅速的輕巧纖薄型筆記簿型電腦特別重要。在擁有強制散熱氣流的高階桌上型和伺服器設計中，只需一個 IRF6612哂迷諭降投吮憧蓪七娏鞒休d能力擴展至每相30A。」
IR的DirectFET MOSFET封裝具備多種在標準塑料封裝內前所未見的嶄新設計優點。其「金屬外殼」結構可以有效的將熱量引離主機板，消除熱對先進微處理器性能的嚴重威脅。
此外，DirectFET MOSFET採用新的雙面冷卻設計，為驅動這些處理器的高頻DC-DC降壓轉換器帶來雙倍電流處理能力，延展它們在高階桌上型電腦、膝上型電腦、路由器及伺服器中的先進效能。
客戶可利用myPOWER網上設計中心內的MOSFET選擇器工具，在同步降壓電路上分析和比較IRF6612及其他低電壓MOSFET。該工具能在以下網站免費下載： http://mypower.irf.com。
IRF6612已開始供應。資料表及應用手冊詳列於IR網站www.irf.com，基本規格如下：
產品編號 封裝 BVDSS 10V下之
最大RDS(on) 4.5V下之RDS(on) VGS TCASE
25?C 下之ID 典型QG 典型QGD
IRF6612 DirectFET 30V 3.3mOhm 4.4mOhm 20V 136A 30nC 10nC
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能咚恪p少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗者)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統及航太系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。IR在1947年成立，總部位於美國洛杉磯，在亞洲多個地區設有辦事處，包括中國大陸、香港、台灣、新加坡、韓國、印度、澳洲及菲律賓。IR在全球共有5,500名員工，在英國、美國、墨西哥和義大利設有製造廠。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
