材料、應用技術及服務的綜合供應商--Dow Corning與東京應用化學工業 (Tokyo Ohka Kogyo，TOK) 日前宣佈，雙方已合作開發並在市場上推出新的雙層光阻。這種新材料將矽聚合物用於成像層 (imaging layer) 以提高蝕刻選擇性，滿足65奈米和更先進製程的微影要求。由於新光阻的高矽含量，因此也可免除多使用一層硬光罩的需要，簡化了次65奈米的製程。
此一突破性材料的推出讓半導體產業的光阻技術與193奈米微影製程向前邁進了一大步。將Dow Corning創新的矽聚合物加入東京應用化學的感光材料，東京應用化學藉此推出這種全新的光阻材料，由於可免除硬光罩層的需要與其相關製程步驟，因此提供了次65奈米微影製程高成本效益的解決方案。
半導體產業想將193奈米微影技術擴大應用到45奈米以下的先進製程，因此需要很薄的成像層以達到所需的解析度和製程適用範圍 (process window)。此外，它還要求更高的蝕刻選擇性，以將更小的電路圖案成功轉印到目標晶圓上，而以有機化學為基礎的現有光阻材料多半無法提供所需的蝕刻選擇性，所以通常會與許多其它不同層一起使用，包括可提供抗蝕刻能力要求的硬光罩層。
東京應用化學已開始供應這種新光阻，此一新產品同時也可將微影製程的氣體釋出 (outgassing)、 降到無法偵測出來的低水準。氣體釋出是指曝光過程中化學物質緩慢釋放的現象，這會讓矽光阻材料釋出矽物質污染曝光設備的光學零件，過去常造成這類材料應用時產生問題。
「我們與東京應用化學的合作使我們能將矽聚合物加入光阻材料，同時避免氣體釋出造成矽材料無法用於光阻的老問題，這些都是過去無法達成的事。」Dow Corning電子與先進技術行銷總監Tomonobu Noguchi表示，「下一代微影技術還要好幾年後才會商業化，因此Dow Corning與東京應用化學正攜手合作，以確保光微影技術的應用範圍擴大到65奈米以下的先進製程。」
此一合作開發出的光阻已證明同時能用於乾式 (dry) 和浸入式 (immersion) 微影製程，浸入式微影是一種先進的影像技術，正逐漸獲得45奈米以下先進製程市場的接受。東京應用化學已成功利用新光阻在浸入式微影環境製造出35奈米的導線/間距圖案。
Dow Corning與東京應用化學自2002年起即展開一項合作協議，共同開發先進的矽基光微影材料。這項合作結合了東京應用化學的先進微製程 (microprocess) 技術與在光微影應用的專業知識，再加上Dow Corning在矽材料領域創新與製造能力的優勢。微影技術開發作業則是在東京應用化學位於日本神奈川縣的研發中心中進行。
此一突破性材料的推出讓半導體產業的光阻技術與193奈米微影製程向前邁進了一大步。將Dow Corning創新的矽聚合物加入東京應用化學的感光材料，東京應用化學藉此推出這種全新的光阻材料，由於可免除硬光罩層的需要與其相關製程步驟，因此提供了次65奈米微影製程高成本效益的解決方案。
半導體產業想將193奈米微影技術擴大應用到45奈米以下的先進製程，因此需要很薄的成像層以達到所需的解析度和製程適用範圍 (process window)。此外，它還要求更高的蝕刻選擇性，以將更小的電路圖案成功轉印到目標晶圓上，而以有機化學為基礎的現有光阻材料多半無法提供所需的蝕刻選擇性，所以通常會與許多其它不同層一起使用，包括可提供抗蝕刻能力要求的硬光罩層。
東京應用化學已開始供應這種新光阻，此一新產品同時也可將微影製程的氣體釋出 (outgassing)、 降到無法偵測出來的低水準。氣體釋出是指曝光過程中化學物質緩慢釋放的現象，這會讓矽光阻材料釋出矽物質污染曝光設備的光學零件，過去常造成這類材料應用時產生問題。
「我們與東京應用化學的合作使我們能將矽聚合物加入光阻材料，同時避免氣體釋出造成矽材料無法用於光阻的老問題，這些都是過去無法達成的事。」Dow Corning電子與先進技術行銷總監Tomonobu Noguchi表示，「下一代微影技術還要好幾年後才會商業化，因此Dow Corning與東京應用化學正攜手合作，以確保光微影技術的應用範圍擴大到65奈米以下的先進製程。」
此一合作開發出的光阻已證明同時能用於乾式 (dry) 和浸入式 (immersion) 微影製程，浸入式微影是一種先進的影像技術，正逐漸獲得45奈米以下先進製程市場的接受。東京應用化學已成功利用新光阻在浸入式微影環境製造出35奈米的導線/間距圖案。
Dow Corning與東京應用化學自2002年起即展開一項合作協議，共同開發先進的矽基光微影材料。這項合作結合了東京應用化學的先進微製程 (microprocess) 技術與在光微影應用的專業知識，再加上Dow Corning在矽材料領域創新與製造能力的優勢。微影技術開發作業則是在東京應用化學位於日本神奈川縣的研發中心中進行。
