2012年4月24日--全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列採用TSOP-6封裝、配備IR最新低壓HEXFET MOSFET的元件,適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻 (RDS(on)),能夠大幅減低傳導損耗。新產品可以作為N-及P-通道配置裡的20V或30V元件,最高閘極驅動可由12Vgs到20Vgs。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR的TSOP-6封裝全新功率MOSFET系列,與採用SOT-23和 SO-8封裝的現有元件發揮相輔相成的作用,使客戶可以更靈活設計系統。這個平台擁有極低的 RDS(on),讓新元件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET,有助減少電路板面積及系統成本。」
所有新元件均屬於第一級濕度敏感度標準 (MSL1) ,並且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS),不含鉛、溴化物和鹵素。
產品規格
元件編號 (- TRPbF) |
BVDSS |
最大VGS |
25ºC 下的最大Id |
典型/最大RDS(on) |
||
10V |
4.5V |
2.5V |
||||
IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 |
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
產品現正接受批量訂單。數據資料及MOSFET產品選擇工具已在 IR 的網站 www.irf.com供應。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
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