2012年9月7日--功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈推出第一款用於高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELM。SSR用於發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機，並且同時收集資訊，容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM元件的峰值為700W，工作頻率為1030MHz，並且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 (extended length message, ELM) 。新型電晶體建基於GaN on SiC 技術，這項技術特別適合高功率電子應用。
美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示：「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件，把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈，讓我們現在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC電晶體，用於二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品，將於今年稍後時間推出。」
美高森美即將推出的產品包括多個用於L，S和C波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體，並且提供一整套GaN微波功率元件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。
關於1011GN-700ELM RF電晶體
- 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD
- 出色的輸出功率: 700W
- 高功率增益: >21 dB最小值
- 經控制的動態範圍: 增量1.0dB，總計15 dB
- 洩極偏壓 - Vdd: +65V
使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括：
- 採用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
- 較高峰值功率和功率增益，用於減少系統功率級和最終功率級合成
- 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率，四路結合提供4 kW整體系統功率
- 65V高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求
- 極高穩健性，提高系統良率
- 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%
封裝和供貨
1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線，提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期，但鑒於產品成本的緣故，不會提供免費的樣品。公司現在已向合格客戶借出演示單元，同時在公司網站www.microsemi.com上提供技術資料表。要瞭解更多的資訊，請發送電郵至sales.support@microsemi.com查詢。
關於美高森美公司
美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、航太，以及醫療與工業市場提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括混合訊號與RF積體電路、SoC與ASICS、可程式類比解決方案、電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案、離散元件，以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。
