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ST宣佈超接面功率MOSFET系列新增快速開關產品

本文作者:意法半導體(ST)       點擊: 2013-04-09 14:17
前言:
率創新技術可減少相當於數千輛汽車廢氣排放量的溫室氣體

201348--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣佈其先進的超接面(superjunction功率MOSFET系列新增快速開關產品,用於高能效消費性電子產品、電腦和電信系統、照明控制器以及太陽能設備。


 

新產品可提升設備電源能效,如200-500W中尺寸電視。如每年製造的2億台液晶電視均採用新的MDmesh II Plus™ Low Qg(低閘極電荷)功率電晶體,每年溫室氣體將減排14多萬噸,這個數字相當於約3萬輛轎車的廢氣排放量。

 

僅有少數晶片廠商掌握超接面技術,採用此項技術的功率電晶體具有小尺寸、耐高壓和優異傳導能效等諸多​​優點。意法半導體在這個技術領域居全球領導地位,除MDmesh功率MOSFET外,現在又推出了性能更高的MDmesh II Plus™ Low Qg系列。這些先進特性可降低閘極電荷數量,提高開關以及傳導時的能效,有助於液晶電視常用的共振型電源節省能源。

 

改進其設計後,新產品降低了閘極電荷(Qg)以及輸入和輸出電容,這些參數有助於進一步提高開關速度和能效,推動液晶電視開發人員選用超接面電晶體設計共振電源。直到現在,超接面電晶體仍主要用於設計硬切式(hard-switching)拓撲,在電流和電壓都很高的條件下執行開關操作。在共振型電源內,兩個電感和一個電容(LLC功率轉換器)可確保電晶體的開關電壓為零,以保證系統電流曲線平滑,從而提高能效。電壓瞬間變化可燒毀電晶體,引起假性開關,MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力,可承受輸入電壓突然劇變(dv/dt),讓新產品能夠在AC電力線上雜訊和諧波等瞬變事件惡劣的環境中穩定工作。

 

首款投入量產的MDmesh II PlusTM Low Qg產品為採用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導體將擴展此系列至50餘款不同封裝的產品,如TO-220FP I2PAKI2PAK FPD2PAKTO-247 PowerFLAT 8x8

 

STP24N60M2主要特性:

l 通態電阻(RDS(ON)):190m

l 崩潰電壓:600V

l 最大連續漏電流(ID):18A

l dv/dt能力:50V/ns

l 100%通過崩潰測試(avalanche test

 

關於意法半導體

意法半導體(STMicroelectronicsST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。

 

意法半導體2012年淨收入84.9億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。 

 

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