2013年10月9日--意法半導體的3STL2540提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率，同時兼具同等級MOSFET的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和DC-DC電源轉換器（DC-DC converters）解決方案。
3STL2540是一個-40V/-5A PNP電晶體，在完全飽和狀態時，最大電壓降（voltage drop）為200mV，基極電流（base current）僅為10mA。等效導通電阻僅為90mΩ，接近同等級超級邏輯層MOSFETs （super logic-level MOSFETs）的性能。
3STL2540的核心技術是意法半導體的先進的雙金屬層平面基島技術（base island technology），在0.2到10V的寬輸出電壓下，溫度在攝氏-30°C到150°C範圍內，連續高電流增益（consistently high current gain，hFE）至少保持在100，創下業界同類元件最低的導通損耗記錄。高熱效率封裝PowerFLAT™僅0.6mm高，封裝面積為2mm x 2mm，在最小的印刷電路板內實現高性能功率電路。
3STL2540現已量產。
詳情請瀏覽www.st.com/bipolar
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