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恩智浦半導體推出首款採1.1-mm²無鉛塑膠封裝3 A電晶體

本文作者：恩智浦點擊： 2013-10-31 14:18

前言：

2013年10月31日--恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低R_Dson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能，相當適用於可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關，特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。

恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示：「在微小的塑膠封裝內達到如此高的汲極和集極電流值是前所未有的。憑藉這一突破性的里程碑，恩智浦將繼續挑戰MOSFET和雙極性電晶體在超緊緻封裝和性能方面的極限。」

全新產品系列採用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具備鍍錫與可焊式側焊墊的特性。這些側焊墊提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無鉛封裝相比，焊接連接品質更好，能滿足嚴格的汽車應用要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，佔用空間僅為1.1-mm²，是雙電晶體可採用的最小封裝。

採用DFN1010封裝的產品可替代許多WL-CSP裝置。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達其體積八倍的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。

全新產品組合主要特點：

1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝
功率消耗(Ptot) 最高達到1 W
採用鍍錫與可焊式側焊墊，貼裝性能更好，符合汽車應用要求
單通道和雙通道MOSFET（N-ch/P-ch）
R_DSon值低至34mOhm
ID最高達到3.2 A
電壓範圍為12 V至80 V
1 kV ESD保護
低V_CEsat (BISS)單晶體管
V_CEsat值低至70 mV
集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A
V_CEO範圍為30 V至60 V
符合AEC-Q101標準
雙通道NPN/PNP配電阻（數位）電晶體（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準）
通用單晶體和雙電晶體

上市時間

採用DFN1010封裝的全新電晶體現已量產，即將上市。

連結

恩智浦低R_DSon MOSFET：www.nxp.com/group/12065
恩智浦低V_CEsat電晶體：www.nxp.com/group/10921
DFN1010B-6封裝的通用電晶體：www.nxp.com/pip/BC847QAPN
DFN1010B-6封裝的RET（數位電晶體）：www.nxp.com/pip/PQMD12
MOSFET DFN封裝選擇器：www.nxp.com/ultra-small-mosfets/packages
DFN1010D-3 (SOT1215)封裝資訊：www.nxp.com/packages/SOT1215.html
DFN1010B-6 (SOT1216)封裝資訊：www.nxp.com/packages/SOT1216.html

關於恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 致力為智慧世界提供安全連結的解決方案。奠基於高性能混合訊號的專業，恩智浦在汽車、智慧識別和行動產業，以及無線基礎設施、照明、醫療、工業、消費與電腦運算等應用領域不斷創新。公司在全球逾25個國家皆設有業務執行機構，2012年公司營業額達到43.6億美元。更多恩智浦相關訊息，請參閱官方網站www.nxp.com 。

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