2013年10月31日--恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能，相當適用於可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關，特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。
恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示：「在微小的塑膠封裝內達到如此高的汲極和集極電流值是前所未有的。憑藉這一突破性的里程碑，恩智浦將繼續挑戰MOSFET和雙極性電晶體在超緊緻封裝和性能方面的極限。」
全新產品系列採用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具備鍍錫與可焊式側焊墊的特性。這些側焊墊提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無鉛封裝相比，焊接連接品質更好，能滿足嚴格的汽車應用要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，佔用空間僅為1.1-mm²，是雙電晶體可採用的最小封裝。
採用DFN1010封裝的產品可替代許多WL-CSP裝置。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達其體積八倍的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。
全新產品組合主要特點：
- 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝
- 功率消耗(Ptot) 最高達到1 W
- 採用鍍錫與可焊式側焊墊，貼裝性能更好，符合汽車應用要求
- 單通道和雙通道MOSFET（N-ch/P-ch）
- RDSon值低至34mOhm
- ID最高達到3.2 A
- 電壓範圍為12 V至80 V
- 1 kV ESD保護
- 低VCEsat (BISS)單晶體管
- VCEsat值低至70 mV
- 集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A
- VCEO範圍為30 V至60 V
- 符合AEC-Q101標準
- 雙通道NPN/PNP配電阻（數位）電晶體（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準）
- 通用單晶體和雙電晶體
上市時間
採用DFN1010封裝的全新電晶體現已量產，即將上市。
連結
- 恩智浦低RDSon MOSFET：www.nxp.com/group/12065
- 恩智浦低VCEsat電晶體：www.nxp.com/group/10921
- DFN1010B-6封裝的通用電晶體：www.nxp.com/pip/BC847QAPN
- DFN1010B-6封裝的RET（數位電晶體）：www.nxp.com/pip/PQMD12
- MOSFET DFN封裝選擇器：www.nxp.com/ultra-small-mosfets/packages
- DFN1010D-3 (SOT1215)封裝資訊：www.nxp.com/packages/SOT1215.html
- DFN1010B-6 (SOT1216)封裝資訊：www.nxp.com/packages/SOT1216.html
關於恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 致力為智慧世界提供安全連結的解決方案。奠基於高性能混合訊號的專業，恩智浦在汽車、智慧識別和行動產業，以及無線基礎設施、照明、醫療、工業、消費與電腦運算等應用領域不斷創新。公司在全球逾25個國家皆設有業務執行機構，2012年公司營業額達到43.6億美元。更多恩智浦相關訊息，請參閱官方網站www.nxp.com 。
