2013年11月12日--德州儀器 (TI) 宣佈針對智慧型手機與平板電腦等空間有限的手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新FemtoFET™ MOSFET 電晶體系列採用超小型封裝，支援低於 100 mΩ的導通電阻。如欲瞭解更多詳情，訂購樣品與 SPICE 模型，敬請參訪：http://www.ti.com/femtofet-pr-tw 。
三個 N 通道及三個 P 通道 FemtoFET MOSFET 均採用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與晶片級封裝 (CSP) 相比，其可將電路板空間銳減 40%。CSD17381F4與 CSD25481F4支援低於 100 mΩ的超低導通電阻，比目前市場上類似元件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護。更多詳情，請觀看視訊影片。
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產品型號
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通道
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BVdss
(V)
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Vgs
(V)
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典型導通電阻（歐姆）
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Id（Ta = 25°C 時）
(A)
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1.8V
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2.5V
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4.5V
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N
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30
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12
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160
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110
|
90
|
3.1
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N
|
30
|
12
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370
|
240
|
200
|
1.5
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|
N
|
12
|
8
|
310
|
170
|
140
|
2.1
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P
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-20
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-12
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395
|
145
|
90
|
-2.5
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|
|
P
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-20
|
-12
|
580
|
338
|
210
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-1.6
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|
P
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-12
|
-8
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480
|
250
|
150
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-2.3
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FemtoFET MOSFET 為 TI NexFET 功率 MOSFET產品系列，該系列還包括適用於手機等可攜式應用的 CSD25213W10 P 通道元件以及 CSD13303W1015 N 通道元件等。TI 提供 LP5907高電流 LDO 線性穩壓器以及 TPS65090前端電源管理單位(PMU) 等各種系列的電源管理產品，可為手持應用節省電路板空間，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優勢
- 低於 100 mΩ的導通電阻比類似元件低 70%，可節省電源，延長電池使用壽命；
- FemtoFET 0.6 mm × 1.0 mm × 0.35 mm的 LGA 封裝比標準 CSP 小 40%；
- 1.5A 至 3.1A 的持續極漏電流值與市面上類似尺寸元件相比，可提供超過 2 倍的效能。
供貨情況與價格
FemtoFET MOSFET 元件現已開始透過 TI 及其授權經銷商批量供貨。CSD17483F4每千顆單位建議售價為 0.06美元，CSD17381F4每千顆單位建議售價為 0.10美元。
TI 針對消費性電子的類比產品
TI 廣泛的電源管理及類比訊號鏈產品具備的高效能、低功耗以及高整合度特性，可協助設計工程師開發創新且具差異化的消費性電子產品。TI 正透過手勢識別、觸覺反饋、進階電池充電、音訊以及健康技術等構建美好未來。更多關於 TI 類比產品如何改善我們的生活、工作和娛樂，請參訪以下連結：www.ti.com/analogconsumer-pr。
關於德州儀器
德州儀器 (TI) 為全球半導體設計製造公司，專精類比 IC 及嵌入式處理器開發。TI 擁有全球頂尖人才，銳意創新，塑造未來。TI 攜手100,000 多家客戶打造更美好未來。更多詳細資訊，請參見網頁：http://www.ti.com.tw/。
